[发明专利]工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法

权利要求书

1.一种工艺偏差检测电路，其特征在于，所述工艺偏差检测电路设置在芯片中，包括：

第一环形振荡器，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第一数量的预设种类的辅助元件；

第二环形振荡器，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第二数量的所述预设种类的辅助元件，所述第二数量大于所述第一数量；

所述第一环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸与所述第二环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸相同，所述辅助元件的种类和连接方式与所述芯片的待测元件参数对应。

2.如权利要求1所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述待测元件参数包括晶体管栅极电容，所述预设种类的辅助元件为负载反相器，所述第一环形振荡器的每个反相器的输出端均连接第一数量个所述负载反相器的输入端，所述第二环形振荡器的每个反相器的输出端均连接第二数量个所述负载反相器的输入端，每个所述负载反相器的输出端均浮空。

3.如权利要求1所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述待测元件参数包括传输门等效电阻，所述辅助元件为传输门，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器之间均串联有第一数量的所述传输门，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器之间均串联有第二数量的所述传输门。

4.如权利要求1～3任一项所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述辅助元件的晶体管种类与所述反相器的晶体管种类相同。

5.如权利要求1～3任一项所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述辅助元件的晶体管种类与所述反相器的晶体管种类不完全相同。

6.一种工艺偏差检测电路，其特征在于，所述工艺偏差检测电路设置在芯片中，包括：

第一环形振荡器，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器均通过第一导线连接，所述第一导线由所述芯片的第i金属层的金属构成，i≥1；

第二环形振荡器，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器均通过第二导线连接，所述第二导线包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分为所述第一导线，所述第二部分由连接所述芯片的所述第i金属层和第i+1金属层的通孔金属构成，所述第三部分由所述第i+1金属层的金属构成；

所述第一环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸与所述第二环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸相同。

7.如权利要求6所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述第二环形振荡器的反相器之间的间距大于所述第一环形振荡器的反相器之间的间距。

8.如权利要求6所述的工艺偏差检测电路，其特征在于，所述第二环形振荡器的反相器之间的间距等于所述第一环形振荡器的反相器之间的间距。

9.一种工艺偏差检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1～5任一项所述的工艺偏差检测电路，包括：

获取M个芯片中每个所述芯片对应的所述第一环形振荡器的第一实测振荡周期和所述第二环形振荡器的第二实测振荡周期，所述M个芯片对应同一晶圆，所述M个芯片中的所述第一环形振荡器均相同，所述第二环形振荡器均相同，M≥1；

将每个所述芯片的所述第二实测振荡周期与所述第一实测振荡周期之差确定为每个所述芯片的实测振荡周期差值；

根据所述M个芯片的M个实测振荡周期差值确定基准振荡周期差值；

根据所述基准振荡周期差值和目标芯片的所述实测振荡周期差值确定所述目标芯片的待测元件参数的工艺偏差检测结果。