[发明专利]具有不同焊料体积的WLCSP封装体

权利要求书

1.一种器件，包括：

裸片，包括有源表面和无源表面，所述有源表面具有多个接触焊盘；

导电层，被耦合到所述裸片的所述多个接触焊盘；

第一接触件，被耦合到所述导电层，所述第一接触件具有第一高度；

第二接触件，被耦合到所述导电层，所述第二接触件具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；以及

第一导电结构，在所述第一接触件上，所述第一导电结构具有第三高度；

第二导电结构，在所述第二接触件上，所述第二导电结构具有第四高度，所述第四高度大于所述第三高度。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第一再钝化层，在所述裸片的所述有源表面上；以及

第二再钝化层，在所述第一再钝化层以及所述导电层上。

3.根据权利要求2所述的器件，其中：

所述第一接触件延伸到所述第二再钝化层中；以及

所述第二接触件延伸到所述第二再钝化层中。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第一接触件和所述第一导电结构的第一总高度从所述第一接触件的被耦合到所述导电层的表面延伸到距所述裸片的所述有源表面最远的第一点；以及

所述第二接触件和所述第二导电结构的第二总高度从所述第二接触件的被耦合到所述导电层的表面延伸到距所述裸片的所述有源表面更远的第二点，所述第二总高度基本上等于所述第一总高度。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二接触件包括凹入部分，所述凹入部分朝向所述裸片的所述有源表面延伸到所述第二接触件中。

6.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第一导电结构具有距所述第一接触件最远的第一点；以及

所述第二导电结构具有距所述第二接触件最远、并且与所述第一接触件的所述第一点基本上共面的第二点。

7.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第二导电结构的所述第四高度大于所述第二接触件的所述第二高度；以及

所述第一导电结构的所述第三高度小于所述第一接触件的所述第一高度。

8.一种器件，包括：

裸片，具有有源表面和无源表面；

第一焊料结构，在所述裸片的所述有源表面上，所述第一焊料结构具有第一高度、以及距所述裸片的所述有源表面最远的第一点；以及

第二焊料结构，在所述裸片的所述有源表面上，所述第二焊料结构具有第二高度、以及距所述裸片的所述有源表面最远的第二点，所述第二高度大于所述第一高度，所述第二点与所述第一点基本上共面。

9.根据权利要求8所述的器件，还包括：

具有第三高度的第一接触件，在所述裸片的所述有源表面上，所述第一接触件被耦合到所述第一焊料结构；

具有第四高度的第二接触件，在所述裸片的所述有源表面上，所述第四高度小于所述第一接触件的所述第三高度，所述第二接触件被耦合到所述第二焊料结构；以及

再钝化层，在所述裸片的所述有源表面上，所述再钝化层在所述第一接触件与所述第二接触件之间延伸。

10.根据权利要求8所述的器件，还包括：

多个接触焊盘，在裸片的所述有源表面上；

第一再钝化层，在所述裸片的所述有源表面上；

第一导电层，在所述第一再钝化层上，并且被耦合到所述多个接触焊盘中的一个接触焊盘；

第二导电层，在所述第一再钝化层上，并且被耦合到所述多个接触焊盘中的一个接触焊盘；

第二再钝化层，在所述第一再钝化层、所述第一导电层和所述第二导电层上；以及

接触件，延伸到所述第二再钝化层中，并且被耦合到所述第一导电层，

其中所述第一焊料结构被设置在所述接触件上。