[发明专利]一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法在审

申请号：	202011551668.7	申请日：	2020-12-24
公开（公告）号：	CN114665031A	公开（公告）日：	2022-06-24
发明（设计）人：	范嘉城	申请（专利权）人：	TCL科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L51/50	分类号：	H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司：	深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268	代理人：	刘芙蓉
地址：	516006 广东省惠州市***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种膜层间量子发光二极管膜层间成膜方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法。方法包括步骤：提供第一膜层；在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。本发明通过在难以附着的两膜层间制备一层具有双亲表面的辅助膜层，使得无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在辅助膜层上较好的成膜，这样原来不能较好附着的第二膜层通过辅助膜层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，为成膜材料的选择提供了更多的可能。

技术领域

本发明涉及成膜技术领域，尤其涉及一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法。

背景技术

自从L.E.Brus等人首次制备出胶体量子点(colloidal quantum dots，简称QDs)以来，胶体量子点凭借其独特的光学特性，比如禁带宽度易调谐、吸收光谱范围宽、光谱纯度高和光/化学性能稳定等，吸引了研究者的广泛关注和研究。在材料科学上取得的如此大的进展，使得基于QDs的LEDs(简称：QLED，量子点发光二极管)替代传统的无机和有机LEDs成为经济的，稳定的和高效能的下一代显示器成为可能。

目前，QLED行业发展迅速，无论是在材料的开发，还是在结构的优化上都取得了很大的进步。但对于某些性能良好的材料，因为成膜上的困难而难以应用到一起。如：亲水性的溶液在亲油性的基底接触角较大，浸润性差，难以在基底上形成均匀、致密的薄膜。

因此，现有技术有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法，旨在解决现有膜层间因极性不匹配难以成膜的问题。

本发明的技术方案如下：

一种膜层间成膜的方法，其中，包括步骤：

提供第一膜层；

在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；

在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；

其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。

可选地，所述辅助膜层为TiO₂层，在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的TiO₂层的步骤具体包括：

在所述第一膜层上沉积TiO₂层，在紫外光下照射所述TiO₂层，使所述TiO₂层的表面为双亲表面，得到具有双亲表面的TiO₂层。