[发明专利]接触孔中填充多晶硅的方法在审
| 申请号： | 202011553806.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678325A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;刘金彪;杨涛;贺晓彬;项金娟;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 填充 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.接触孔中填充多晶硅的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成接触孔；
在所述接触孔的底壁和侧壁上沉积第一层多晶硅，然后向所述第一层多晶硅内注入离子；
在所述第一层多晶硅的表面沉积第二层多晶硅，以填充所述接触孔，然后进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层多晶硅的膜厚为
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入离子的类型包括Ge、As中的至少一种。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述注入离子时的工艺条件为：1KeV～10KeV，5E14～1E16ions/cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为快速热处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为800～1000℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层多晶硅的沉积手段为CVD、ALD或LPCVD。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二层多晶硅的沉积手段为CVD、ALD或LPCVD。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔为位线接触孔或存储节点接触孔。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述接触孔为DRAM中的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
