[发明专利]一种纳米链结构阵列的制备方法及应用

权利要求书

1.一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在干净、平整的基底表面采用湿法刻蚀获得具有条状镂空结构阵列的光刻胶层；

(2)在带有所述光刻胶层的基底上进行沉积得到金纳米薄膜，然后剥离所述光刻胶层，在基底表面得到条状镂空金纳米阵列；

(3)进行退火处理，最后在基底上制得以金纳米颗粒为基本单元构成的纳米链结构阵列。

2.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，所述纳米链结构阵列为多条以金纳米颗粒为基本单元构成的纳米链结构，所述纳米链之间相互平行且间距为200nm～1000nm；每条所述纳米链的基本单元为金纳米颗粒，每个所述金纳米颗粒之间的间距为2nm～10nm；每条所述纳米链的横截面为矩形，宽为80nm～150nm、高为20nm～100nm、长度可任意。

3.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的方法是：在所述基底的表面旋涂一层光刻胶，经过烘干后得到光刻胶薄膜，采用具有二维条状微纳结构阵列图案的掩模版对所述光刻胶薄膜进行曝光，曝光后进行后烘、显影，从而在所述基底的表面得到具有条状镂空结构阵列的光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，若所述光刻胶为正性光刻胶，则相应的所述掩模版的所述微纳结构阵列图案处为透光部分，所述掩模版的其余处为非透光部分；若所述光刻胶为负性光刻胶，则相应的所述掩模版的所述微纳结构阵列图案处为非透光部分，所述掩模版的其余处为透光部分。

5.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为200nm以上；所述金纳米薄膜的厚度为20nm～100nm。

6.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，剥离所述光刻胶层采用刻蚀液浸渍，浸渍后即可剥离去除光刻胶层。

7.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，所述金纳米薄膜采用磁控溅射法或热蒸镀法制备。

8.根据权利要求2所述的一种纳米链结构阵列的制备方法，其特征在于，所述退火的过程是将经过步骤(2)制得的所述基底置于退火炉中，在真空或充入惰性气体的常压气氛下于400℃～600℃下进行退火0.5h～2h。

9.根据权利要求1～8任一项所述的制备方法制得的纳米链结构阵列应用于表面增强拉曼散射基底。