[发明专利]备份cell替换电路验证方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种备份cell替换电路验证方法、装置、存储介质和终端，提取备份cell替换电路转换为Verilog代码，失效cell替换完成后，根据随机生成需要进行数据配置替换地址进行仿真验证，判断仿真结果成功则再根据随机生成需要进行数据配置替换地址通过断言验证该地址是否在对应的时刻产生了替换使能信号，若是则说明备份cell替换电路对待测设计中失效cell的替换成功，反之替换失败；本方案通过将备份cell替换电路转成Verilog代码，系统可以自动随机生成需要进行数据配置替换地址，以及对替换情况进行自动检查，代替人工操作，极大地提高仿真速度；而且系统可以随机大量生成替换激励，大大增加验证覆盖率。

技术领域

本发明涉及非易失存储器验证技术领域，尤其涉及的是一种备份cell替换电路验证方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

在非易失存储器中，存储单元备份电路是用来替换掉存储器中失效的bit，通常由模拟工程师设计。对存储单元备份电路的验证，传统的验证方法一般是模拟工程师通过hspice电路（Hspice主要通过电路网表(Netlist)来实现电路描述、激励添加、输出控制等功能）仿真，无论是模块级还是系统级都只是手动给激励，手动检查替换情况，人工操作导致验证覆盖情形少，仿真速度慢。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种备份cell替换电路验证方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的存储单元备份电路通过hspice电路仿真需要人工操作验证，导致验证覆盖率低，仿真速度慢的问题。

本发明的技术方案如下：一种备份cell替换电路验证方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：提取备份cell替换电路并转换为Verilog代码；

S2：打开备份cell替换电路使能；

S3：随机生成需要进行数据配置替换的地址；

S4：对待测设计的失效cell替换完成后，根据所述随机生成需要进行数据配置替换的地址进行仿真验证，得到仿真结果；

S5：根据仿真结果判断仿真验证是否成功，若成功，执行S6，若不成功，执行S8；

S6：根据所述随机生成需要进行数据配置替换的地址判断该地址是否在对应的时刻产生了替换使能信号，是则执行S7，否则执行S8；

S7：备份cell替换电路验证成功，输出验证结果；

S8：备份cell替换电路验证不成功，输出验证结果。

所述的备份cell替换电路验证方法，其中，所述S1中，通过软件提取备份cell替换电路转换为Verilog代码。

所述的备份cell替换电路验证方法，其中，通过chipsmith软件提取备份cell替换电路转换为Verilog代码。

所述的备份cell替换电路验证方法，其中，所述S4和S5具体包括以下步骤：

s01：根据所述随机生成需要进行数据配置替换的地址，对参考模型和待测设计分别发送写指令；

s02：根据所述随机生成需要进行数据配置替换的地址，对参考模型和待测设计分别发送读指令，读出参考模型和待测设计写入的数据；

s03：判断参考模型读出的数据和待测设计读出的数据是否一致，是则执行S6，否则执行S8。

所述的备份cell替换电路验证方法，其中，所述S6中，根据所述随机生成需要进行数据配置替换的地址，通过断言验证判断该地址是否在对应的时刻产生了替换使能信号。

一种备份cell替换电路验证装置，其中，包括：