[发明专利]侧向复合光栅DFB激光器结构及应用有效
| 申请号： | 202011555716.X | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112688164B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;徐远博;渠红伟;王明金;王天财;刘文振;周旭彦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/042;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 郭梦雅 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧向 复合 光栅 dfb 激光器 结构 应用 | ||
1.一种侧向复合光栅DFB激光器结构，其特征在于，包括：
N面电极层；
N型波导层，设置在N面电极层上；
有源层，设置在N型波导层上；
P型波导层，设置在有源层上，包括未刻蚀P型波导层、脊波导和高阶表面侧向光栅，脊波导和高阶表面侧向光栅均设置在未刻蚀P型波导层上，高阶表面侧向光栅设置在脊波导两侧，狭槽区域设置在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处以电隔离所述高阶表面侧向光栅与所述脊波导，所述狭槽区域的宽度为0.8～2.0μm，所述未刻蚀P型波导层厚度为0～200nm，所述高阶表面侧向光栅满足布拉格条件，周期P按照以下计算：
其中，m是光栅阶数，λB是布拉格波长，neff是有源层中的模式有效折射率，未刻蚀光栅区域的宽度占周期P的比例不小于50％；以及
P面电极层，设置在脊波导上。
2.如权利要求1所述的侧向复合光栅DFB激光器结构，其特征在于，
所述脊波导的宽度范围为2.5～4.0μm。
3.如权利要求1所述的侧向复合光栅DFB激光器结构，其特征在于，
所述狭槽区域距离脊波导的侧向宽度为0～2μm。
4.如权利要求1所述的侧向复合光栅DFB激光器结构，其特征在于，
所述高阶表面侧向光栅和脊波导的高度相同。
5.如权利要求1所述的侧向复合光栅DFB激光器结构，其特征在于，
所述高阶表面侧向光栅和脊波导采用的材料相同。
6.如权利要求1至5任一项所述的侧向复合光栅DFB激光器结构在半导体激光器技术领域的应用。
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