[发明专利]一种提高西瓜抗性的无土栽培方法在审

专利信息
申请号: 202011555976.7 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112690198A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 由守昌;杨珊;杨猛;邢石磊;王纪磊;辛国凤;王超;张俊峰;吴兵 申请(专利权)人: 潍坊郭牌农业科技有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G24/13;A01G24/22;A01G24/23;A01G24/20;A01G24/12;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/25;C05G3/00;C05G3/80;C05G5/20;A01G22/05
代理公司: 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 代理人: 张娟
地址: 261100 山东省潍坊*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 西瓜 抗性 无土栽培 方法
【说明书】:

发明提供一种提高西瓜抗性的无土栽培方法,包括修建栽培槽、配置营养系统、移栽定植、定值后管理、整蔓期管理、授粉期管理以及膨果期管理步骤;所述修建栽培槽:在棚内建槽开沟,南北向开沟,槽深40‑45cm,槽口宽30‑32cm,槽底宽35‑40cm,栽培槽截面呈梯型,上窄下宽,内铺黑色塑料薄膜,槽中填充满栽培基质;所述配置营养系统:在储液池内配有营养液,通过滴灌管将营养液输送到栽培基质。采用本发明无土栽培的方法,早春红玉西瓜的移栽成活率高,西瓜叶枯病、灰霉病的患病率低,绿色无农药污染;产出的西瓜皮薄、肉质鲜嫩爽口,可溶性固形物含量高。

技术领域

本发明属于西瓜种植技术领域,具体涉及一种提高西瓜抗性的无土栽培方法。

背景技术

无土栽培摆脱了土壤栽培的限制,有广阔的发展前景。无土栽培,是植物根系能直接接触营养液的栽培方法。无土栽培中营养液成分易于控制,且可随时调节。在光照、温度适宜而没有土壤的地方,如沙漠、海滩、荒岛,只要有一定量的淡水供应,便可进行。无土栽培根据栽培介质的不同分为水培、雾(气)培和基质栽培。水培是指植物根系直接与营养液接触,不用基质的栽培方法。最早的水培是将植物根系浸入营养液中生长,这种方式会出现缺氧现象,严重时造成根系死亡。常采用营养液膜法的水培方式,即使一层很薄的营养液层,不断循环流经作物根系,既保证不断供给作物水分和养分,又不断供给根系新鲜氧气。

早春红玉是杂交一代极早熟小型红瓤西瓜,是由日本引进的特早熟小型杂交一代西瓜新品种。果实长椭圆形,果皮厚0.3厘米,果皮深绿色花条纹,果肉桃红色,单果重2-3千克。我国长江流域等地适宜栽种该西瓜,山东产地较多。

早春红玉忌重茬地种植,对土壤要求较高,需轮作,因此,发明人团队多年来致力于研究早春红玉的无土栽培技术。现有技术的早春红玉栽培多采用传统培育,无土栽培方法研究较少,且不成熟。现有的早春红玉西瓜无土栽培技术存在以下技术问题:移栽成活率低,叶枯病、灰霉病患病严重。

发明内容

为解决现有技术存在的问题,本发明提供一种提高西瓜抗性的无土栽培方法,提高早春红玉西瓜无土栽培的移栽成活率,明显减轻西瓜叶枯病、灰霉病的发生。

为解决以上技术问题,本发明采用以下技术方案:

一种提高西瓜抗性的无土栽培方法,包括以下步骤:

步骤1、修建栽培槽

采用保护地无土栽培方法种植早春红玉西瓜。

建设塑料大棚,棚宽10-15m,棚顶高2-2.2m,棚肩高1.2-1.3m。

在棚内建槽开沟,南北向开沟,槽深40-45cm,槽口宽30-32cm,槽底宽35-40cm,栽培槽截面呈梯型,上窄下宽,内铺黑色塑料薄膜,槽中填充满栽培基质;栽培基质分为上层基质、中层基质和底层基质,厚度比为2:1:2;

所述上层基质由硅藻土粉、沸石、黄芪根茎、葛根、榆树皮粉、蘑菇棒粉、河沙按照30-35:8-9:1-1.5:2-3:8-9:3-3.8:15-20的质量比混合形成。

所述中层基质由膨润土、麦饭石、松针粉、草木灰、褐藻粉、陶粒按照10-14:5-7:2-3:3-4:3-4:6-8的质量比混合形成。

所述底层基质由河砂、木鱼石粉、火山岩粉、椰糠、膨胀珍珠岩、蛭石粉按照20-26:10-13:3-5:3-3.8:8-9:7-10的质量比混合形成。

用水将槽中的栽培基质喷至含水量在28-30%。

步骤2、配置营养系统

在储液池内配有营养液,通过滴灌管将营养液输送到栽培基质;滴罐管采用直径4cm,滴灌孔0.4mm,孔距35cm塑料滴灌管。

不同的培育时期采用不同的营养液进行培育。

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