[发明专利]一种阈值电压的管理方法、读取闪存数据的方法

说明书

本发明涉及固态硬盘应用领域，公开了一种阈值电压的管理方法、读取闪存数据的方法、固态硬盘控制器和固态硬盘。该阈值电压的管理方法包括：获取目标区块，该目标区块设有特定区域，该特定区域具有确定的第一单元状态分布信息；在到达预设扫描间隔时间时，基于该目标区块的特定区域、第一单元状态分布信息和最佳阈值电压表扫描阈值电压，以周期性的管理该最佳阈值电压表。本发明提供的阈值电压的管理方法、读取闪存数据的方法、固态硬盘控制器以及固态硬盘提升了获取所述最佳阈值电压的效率，从而能够降低其他读写操作的延迟影响，并且提升了系统性能。

技术领域

本发明涉及固态硬盘应用领域，特别是涉及一种阈值电压的管理方法、读取闪存数据的方法。

背景技术

闪存(NAND Flash)是固态硬盘的主要存储介质。随着闪存技术的发展，带来了一些问题，如不可修复的错误比特率(Uncorrectable Bit Error Rate，UBER)越来越高。为了减少该不可修复的错误比特率，需要通过调整阈值电压后进行重读(Read Retry)，重读是否成功的关键在于确定的阈值电压。

相关技术通常是即时扫描最佳阈值电压，该过程会先设置阈值电压，然后执行读操作，再统计本次读操作的错误比特率，重复该过程多次，最后选择最小的错误比特率对应的阈值电压作为最佳阈值电压。

发明人在实现本发明实施例的过程中发现相关技术至少存在以下问题：进行最佳阈值电压扫描的过程中，会占据对应的闪存颗粒的数据通道，而最佳阈值电压的扫描一般会进行多次读操作，耗时较长，拖累其他读写操作；如果当发生不可纠错的情况下，就进行最佳阈值电压扫描，然后进行读，对于主机端而言是一次极大的延迟，如果多次发生，会影响整体的性能。

发明内容

本发明实施方式主要解决的技术问题是如何提高获得最佳阈值电压的效率，从而使最佳阈值电压得到有效应用，并减少对性能的影响。

为解决上述技术问题，本发明实施方式采用的一个技术方案是：提供一种阈值电压的管理方法，包括：

获取目标区块，所述目标区块设有特定区域，所述特定区域具有确定的第一单元状态分布信息；

在到达预设扫描间隔时间时，基于所述目标区块的特定区域、所述第一单元状态分布信息和最佳阈值电压表扫描阈值电压，以周期性的管理所述最佳阈值电压表。

可选地，所述特定区域包括目标区块中的字线，所述字线包括预设数据序列，所述预设数据序列用于产生所述第一单元状态分布信息。

可选地，所述基于所述目标区块的特定区域、所述第一单元状态分布信息和最佳阈值电压表扫描阈值电压，包括：

根据所述最佳阈值电压表中记录的每一阈值电压分别对所述特定区域执行读操作，并获取所述每一阈值电压对应的第二单元状态分布信息；

根据所述第一单元状态分布信息和所述第二单元状态分布信息，获取所述每一阈值电压的偏移参数；

根据所述偏移参数对所述最佳阈值电压表中记录的每一阈值电压进行更新。

可选地，所述根据所述第一单元状态分布信息和所述第二单元状态分布信息，获取所述每一阈值电压的偏移参数，包括：

根据所述第一单元状态分布信息获取初始单元数量和初始记录值；

根据所述第二单元状态分布信息获取所述每一阈值电压对应的当前单元数量和当前记录值；

比较所述初始单元数量和所述当前单元数量，获得所述每一阈值电压的偏移方向，并比较所述初始记录值和所述当前记录值，获得所述每一阈值电压的偏移程度。

可选地，所述根据所述偏移参数对所述最佳阈值电压表中记录的每一阈值电压进行更新，包括：