[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅基底；

在所述硅基底上形成保护膜；

在所述保护膜上形成掺杂源层；所述掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；

采用热处理的方式将所述掺杂源层中的掺杂元素穿过所述保护膜推进到硅基底中，以对所述硅基底进行掺杂。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜为本征半导体膜。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的材料包括硅、碳化硅、锗中的至少一种；和/或，

所述保护膜的材料包括非晶半导体材料、多晶半导体材料、纳米晶半导体材料、微晶半导体材料中的至少一种。

4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。

5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂溶液含有乙醇，所述乙醇的质量分数为2％～30％；所述掺杂源层的形成方式为涂覆方式。

6.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，

所述掺杂剂浆料含有的掺杂剂质量分数为0.01％～10％；所述掺杂源层的形成方式为涂布方式、印刷方式、转印方式中至少一种。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂浆料还含有纳米硅粉，所述纳米硅粉的质量分数为10％～80％，所述纳米硅粉的粒径为5nm～500nm，和/或，

所述掺杂剂浆料还含有氧化硅，所述氧化硅的质量分数为10％～80％，所述氧化硅的粒径为5nm～500nm。

8.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂源层所含有的掺杂剂为磷酸、磷酸盐、偏磷酸、偏磷酸盐、五氧化二磷或磷单质，或，所述掺杂源层的所含有的掺杂剂为氮化硼、氧化硼、硼酸、碳化硼、硼硅化物、硼化铝或硼酸盐。

9.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，热处理后，所述硅基底的掺杂表面的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～4×10²⁰cm^-3。

10.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂源层的掺杂元素浓度大于或等于1×10²¹cm^-3；

热处理后，当掺杂磷原子时，所述保护膜的掺杂浓度为2×10²⁰cm^-3～4×10²¹cm^-3，当掺杂硼原子时，所述保护膜的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3～3×10²⁰cm^-3。

11.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂源层的厚度为10nm～3000nm；所述保护膜的厚度为30nm～180nm。

12.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述保护膜上形成掺杂源层包括：在保护膜的局部区域形成掺杂源层；

热处理后，掺杂元素对所述硅基底进行局部掺杂。

13.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，热处理后，所述太阳能电池的制作方法包括：

去除所述保护膜和掺杂源层。