[发明专利]一种全光谱光电双通道器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011556829.1 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112599646B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘舸;李元元 | 申请（专利权）人： | 惠州学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/42;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18;G01N21/27 |
| 代理公司： | 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 | 代理人： | 邓爱军 |
| 地址： | 516007 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 光电 双通道 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种全光谱光电双通道器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.采用磁控溅射或MOCVD的方式在衬底上生长AlN薄膜，所述AlN薄膜按照铅锌矿结构结晶成膜；
S2.在AlN薄膜表面蒸镀获得图形化顶电极或阴阳电极；
S3.在AlN薄膜和顶电极表面转移一层石墨烯/PMMA复合电极，或在AlN薄膜和阴电极表面及AlN薄膜和阳电极表面各转移一层石墨烯/PMMA复合电极，阴阳电极表面的石墨烯/PMMA复合电极间隔设置，其中所述石墨烯/PMMA复合电极的制备方法为：在铜箔上制备单层石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜表面旋涂PMMA后液相腐蚀铜箔；
S4.将顶电极或阴阳电极表面的PMMA蚀刻去除，即得光电双通道器件。
2.根据权利要求1所述的全光谱光电双通道器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述顶电极为Ni/Au薄膜，阳电极为Ni/Au薄膜，阴电极为Al/Ni/Au薄膜。
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