[发明专利]一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011556867.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670826B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 程洋;郭银涛;王俊;刘恒 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静玉 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体激光器 掺杂 均匀 方法 | ||
1.一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，包括：
在衬底一侧表面沉积热膨胀层，所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数；
将所述衬底置于外延生长设备的基座上，所述衬底沉积所述热膨胀层的表面朝向所述基座设置，所述热膨胀层的边缘和所述基座朝向所述衬底的表面不接触，所述衬底朝向所述基座表面的边缘和所述基座朝向所述衬底的表面不接触；
在所述衬底背离所述基座的表面依次生长n型外延层、有源层和p型外延层，生长p型外延层时所需的生长条件敏感掺杂源从所述外延生长设备的两个气路或三个气路通入，两个气路或三个气路垂直设置在所述衬底的侧面。
2.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，所述衬底为砷化镓衬底，所述热膨胀层为氮化硅热膨胀层，所述热膨胀层的厚度为100nm至2000nm。
3.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，所述生长条件敏感掺杂源包括：碳源、锌源和镁源，所述碳源为四溴化碳碳源。
4.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，半导体激光器包括边发射半导体激光器和垂直腔面发射半导体激光器。
5.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，所述外延生长设备包括上层气路、中层气路或下层气路，
当从两个气路通入生长p型外延层时所需的生长条件敏感掺杂源时，从上层气路和中层气路通入所述生长条件敏感掺杂源，或从中层气路和下层气路通入所述生长条件敏感掺杂源。
6.根据权利要求5所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，上层气路和中层气路通入的所述生长条件敏感掺杂源的气流量的比例为0.5至3；下层气路和中层气路通入的所述生长条件敏感掺杂源的气流量的比例为0.5至3。
7.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，所述p型外延层包括p型上波导层、p型上限制层和p型接触层，或所述p型外延层包括p型分布式布拉格反射镜层。
8.根据权利要求1所述的改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，其特征在于，所述n型外延层包括n型下限制层和n型下波导层，或所述n型外延层包括n型分布式布拉格反射镜层。
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