[发明专利]一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在审
| 申请号： | 202011557123.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112615257A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照激光芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 外延 结构 及其 制作方法 vcsel 芯片 | ||
1.一种激光器外延结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底为导电衬底；
沿第一方向依次堆叠在所述衬底表面的缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结。
2.根据权利要求1所述的激光器外延结构，其特征在于：所述低折射率物质层包括N型掺杂层，所述高折射率物质层包括P型掺杂层，所述隧穿结包括N型高掺层与P型高掺层的堆叠，且所述N型高掺层靠近所述N型掺杂层而设置，所述P型高掺层靠近所述P型掺杂层而设置，使所述N型掺杂层与P型掺杂层之间形成隧穿效应。
3.根据权利要求1所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为N型掺杂；所述P型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为P型掺杂。
4.根据权利要求2所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型高掺层的厚度不超过5nm；所述P型高掺层的厚度不超过3nm。
5.根据权利要求2所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型掺杂层和所述N型高掺层包括AlxGa1-xAs材料层；所述P型掺杂层和所述P型高掺层包括AlxGa1-xAs材料层；其中，0＜x≤0.5，0.5＜y＜1。
6.根据权利要求2所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型掺杂层和N型高掺层的掺杂源均包括Si或Te；所述N型掺杂层的掺杂浓度为1*10E17-1*10E19，不包括端点值；所述N型高掺层的掺杂浓度大于等于1*10E19。
7.根据权利要求2所述的激光器外延结构，其特征在于：所述P型掺杂层和P型高掺层的掺杂源均包括Mg或Zn；所述P型掺杂层的掺杂浓度为1*10E17-1*10E19，不包括端点值；所述P型高掺层的掺杂浓度大于等于1*10E19。
8.根据权利要求1所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型DBR层交替生长的组数为0-30组，不包括端点值；所述P型DBR层交替生长的组数为0-30组，不包括端点值。
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