[发明专利]一种基于Cu膜成分和结构设计的CuO多相结构材料及其制备方法有效
申请号: | 202011557384.9 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112647045B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 唐春梅;王红莉;黄淑琪;石倩;洪悦;许伟;汪唯;郭朝乾;林松盛;代明江;苏一凡;唐鹏 | 申请(专利权)人: | 广东省科学院新材料研究所 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 cu 成分 结构设计 cuo 多相 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种CuO多相结构材料,其特征在于,所述CuO多相结构材料由Cu膜氧化制得,所述Cu膜为掺杂X材料的Cu/X复合膜或Cu/X多层膜;所述X材料为扩散速率低于Cu或氧化温度高于Cu的金属或金属氧化物或非金属;所述CuO多相结构材料为多孔网络层/CuO层/CuO纳米棒材料或多孔网络层/CuO层/CuO微纳米凸起材料;
所述X材料为Ag或ZnO;
所述Cu膜为Cu/Ag复合膜、Cu/Ag多层膜、Cu/ZnO复合膜、Cu/ZnO多层膜中的任一种;
Cu/Ag多层膜为Cu/Ag/Cu/Ag/Cu/Ag结构;Cu/ZnO多层膜为ZnO/Cu/ZnO/Cu/ZnO/Cu结构。
2.权利要求1所述CuO多相结构材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)采用直流或射频溅射方法在基底上沉积Cu膜;
(2)将沉积于基底上的Cu膜于300℃~450℃的温度下、空气气氛中进行热氧化处理4~24h,制得CuO多相结构材料;所述CuO多相结构材料为多孔网络层/CuO层/CuO纳米棒材料或多孔网络层/CuO层/CuO微纳米凸起材料;
所述基底为Si或泡沫Ni或碳布;
当Cu膜为Cu/Ag复合膜时,采用Cu靶和Ag靶共溅射,直流溅射Cu靶功率为150w,射频溅射Ag靶功率为75w,共溅射时间为30min;
当Cu膜为Cu/Ag多层膜时,以150w的功率直流溅射Cu靶10min沉积Cu;以75w的功率直流溅射Ag靶10min沉积Ag;重复上述直流溅射Cu靶和Ag靶的过程三次,溅射时间合计60min,形成Cu/Ag/Cu/Ag/Cu/Ag结构的Cu/Ag多层膜;
当Cu膜为Cu/ZnO复合膜时,采用Cu靶和ZnO靶共溅射,直流溅射Cu靶功率为150w,射频溅射ZnO靶功率为100w,共溅射时间为30min;
当Cu膜为Cu/ZnO多层膜时,以100w的功率射频溅射ZnO靶10min沉积ZnO;以150w的功率直流溅射Cu靶10min沉积Cu;重复上述射频溅射ZnO靶、直流溅射Cu靶的过程三次,溅射时间合计60min,形成ZnO/Cu/ZnO/Cu/ZnO/Cu结构的Cu/ZnO多层膜;
所述直流或射频溅射的具体参数如下:本底真空度为2×10-4Pa~4×10-4Pa,惰性气氛;溅射压力为0.3~2Pa;
所述步骤(2)中的热氧化处理为电场辅助热氧化法,所述电场强度为0~30000Vm-1,电场方向为垂直于基底向上。
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