[发明专利]具有再分布层和EMIB连接器的集成光子器件和处理器封装在审
| 申请号： | 202011557529.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851471A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | S·贾达夫;K·布朗;D·辉;L·廖;S·S·伊斯兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 再分 emib 连接器 集成 光子 器件 处理器 封装 | ||
1.一种封装，包括：
光子集成电路(PIC)；
与所述PIC电耦合的再分布层(RDL)；以及
耦合到衬底的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)，所述EMIB与所述RDL电耦合，所述RDL用于将所述PIC的电连接延伸到所述PIC外围的区域之外。
2.根据权利要求1所述的封装，还包括与所述EMIB电耦合的处理单元以电耦合所述处理单元和所述PIC。
3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述处理单元是两个或更多个处理单元。
4.根据权利要求2所述的封装，其中，所述处理单元选自以下中的一种：CPU、GPU、FPGA或其他专用处理器。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的封装，还包括与所述RDL、所述PIC和所述EMIB电耦合的电集成电路(EIC)。
6.根据权利要求5所述的封装，其中，所述EIC还包括选自以下中的一种或多种：跨阻放大器(TIA)、时钟数据恢复电路(CDR)或驱动器。
7.根据权利要求5所述的封装，其中，所述EIC包括选自以下中的一种多种：穿硅过孔(TSV)或铜柱。
8.根据权利要求5所述的封装，其中，所述EIC设置在所述PIC与所述衬底之间。
9.根据权利要求5所述的封装，其中，所述EIC设置在所述RDL与所述衬底之间。
10.根据权利要求5所述的封装，其中，所述EIC设置在所述PIC与所述RDL之间。
11.根据权利要求1、2、3或4所述的封装，其中，所述RDL是扇出RDL。
12.根据权利要求1、2、3或4所述的封装，其中，所述PIC是两个或更多个PIC。
13.根据权利要求1、2、3或4所述的封装，还包括与所述RDL物理地耦合并且电耦合的另一个管芯。
14.一种用于创建封装的方法，所述方法包括：
将光子集成电路(PIC)电耦合并且物理地耦合到扇出再分布层(FORDL)；
将所述FORDL电耦合并且物理地耦合到EMIB，所述EMIB物理地耦合到衬底；以及
将与所述PIC分隔并且不同的处理单元电耦合并且物理地耦合到所述EMIB。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述处理单元选自以下中的一种：CPU、GPU、FPGA或其他专用处理器。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述处理单元是两个或更多个处理单元，或者其中，所述PIC是两个或更多个PIC。
17.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述EMIB仅部分地与所述FORDL电耦合。
18.一种系统，包括：
封装，所述封装包括：
光子集成电路(PIC)；
与所述PIC电耦合的再分布层(RDL)；
耦合到衬底的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)，所述EMIB与所述RDL电耦合，所述RDL用于将所述PIC的电连接延伸到所述PIC外围的区域之外；以及
与所述RDL、所述PIC和所述EIC电耦合以支持所述PIC的操作的电集成电路(EIC)；以及
与所述PIC耦合以向所述PIC提供光信号的一个或多个光纤电缆。
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