[发明专利]用于集成高密度缩放器件的自对准前端电荷俘获闪存存储单元和电容器设计

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的晶体管，其中，所述晶体管包括：

第一栅极电极，其中，所述第一栅极电极是具有第一间距的第一栅极电极阵列的一部分，其中，所述第一栅极电极具有第一平均晶粒尺寸；以及

在所述衬底上的部件单元，其中，所述部件单元包括：

第二栅极电极，其中，所述第二栅极电极是具有大于所述第一间距的第二间距的第二栅极电极阵列的一部分，其中，所述第二栅极电极具有大于所述第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述部件单元是存储单元。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述部件单元是电荷俘获闪存存储单元。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述部件单元包括：

在所述衬底上方的隧道势垒；

在所述隧道势垒上方的浮置电极；以及

在所述浮置电极上方的俘获绝缘体，其中，所述第二栅极电极在所述俘获绝缘体上方。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述隧道势垒、所述浮置电极和所述俘获绝缘体具有U形截面。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中，所述隧道势垒是与所述第一栅极电极和所述衬底之间的栅极电介质相同的材料。

7.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中，所述浮置电极包括成核毒化的钨材料。

8.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中，所述衬底包括鳍状物。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述晶体管和所述部件单元设置在所述鳍状物上方。

10.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体器件，其中，所述部件单元是电容器。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电容器包括：

在所述衬底上方的第三电极；以及

在所述第三电极上方的电介质层，并且其中，所述第二栅极电极在所述电介质层上方。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三电极是电连接到所述衬底的体短接电极。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三电极包括成核毒化的钨材料。

14.一种半导体器件，包括：

半导体鳍状物；

在所述半导体鳍状物上方的非平面晶体管，其中，所述非平面晶体管包括：

第一电极，其中，所述第一电极包括第一平均晶粒尺寸；以及在所述半导体鳍状物上方的部件单元，其中，所述部件单元是电荷俘获闪存存储单元或电容器，其中，所述部件单元包括：

第二电极，其中，所述第二电极包括大于所述第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述部件单元是电荷俘获闪存存储单元，并且其中，所述部件单元包括：

在所述半导体鳍状物上方的隧道势垒；

在所述隧道势垒上方的浮置电极；

在所述浮置电极上方的俘获绝缘体；并且

其中，所述第二电极在所述俘获绝缘体上方。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述隧道势垒、所述浮置电极和所述俘获绝缘体具有U形截面。

17.根据权利要求14、15或16所述的半导体器件，所述部件单元是电容器。