[发明专利]比较器电路及包括其的芯片

权利要求书

1.一种比较器电路，其特征在于，包括第一放大电路、第二放大电路、第一比较电路、第二比较电路、选择输出电路和选择信号产生电路；

所述第一放大电路的同相输入端和所述第二放大电路的同相输入端均用于接收第一输入电压，所述第一放大电路的反相输入端和所述第二放大电路的反相输入端均用于接收第二输入电压；

所述第一放大电路用于在所述第一输入电压和所述第二输入电压的均值大于预设阈值电压时分别对所述第一输入电压和所述第二输入电压进行增益放大并输出对应的第一放大信号和第二放大信号至所述第一比较电路；

所述第二放大电路用于在所述第一输入电压和所述第二输入电压的均值小于所述预设阈值电压时分别对所述第一输入电压和所述第二输入电压进行增益放大并输出对应的第三放大信号和第四放大信号至所述第二比较电路；

所述第一比较电路用于将所述第一放大信号和所述第二放大信号进行比较输出第一比较结果至所述选择输出电路；

所述第二比较电路用于将所述第三放大信号和所述第四放大信号进行比较输出第二比较结果至所述选择输出电路；

所述选择信号产生电路用于基于所述第一输入电压和所述第二输入电压的共模电压输出选择信号至所述选择输出电路；

所述选择输出电路用于基于所述选择信号选择所述第一比较结果或所述第二比较结果作为所述比较器电路的输出结果。

2.如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述第一放大电路包括：第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管和第十八PMOS管；

所述第十一NMOS管和所述第十四NMOS管的栅极用于连接第一输入电压，所述第十二NMOS管和所述第十三NMOS管的栅极用于连接第二输入电压，所述第十一NMOS管、所述第十二NMOS管、所述第十三NMOS管、所述第十四NMOS管、所述第十五NMOS管和所述第十六NMOS管的源极均接地，所述第十一NMOS管的漏极与所述第十一PMOS管的漏极、所述第十一PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极连接，所述第十二PMOS管的漏极与所述第十二NMOS管的漏极连接，所述第十三NMOS管的漏极与所述第十三PMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的栅极和所述第十四PMOS管的栅极连接，所述第十四NMOS管的漏极与所述第十四PMOS管的漏极连接，所述第十一PMOS管、所述第十二PMOS管、所述第十三PMOS管和所述第十四PMOS管的源极均接电源电压；所述第十五NMOS管的栅极与所述第十二NMOS管的漏极连接，所述第十六NMOS管的栅极与所述第十四NMOS管的漏极连接，所述第十五PMOS管、所述第十六PMOS管、所述第十七PMOS管和所述第十八PMOS管的源极均接电源电压，所述第十五PMOS管的栅极与所述第十五PMOS管的漏极、所述第十六PMOS管的漏极和所述第十七PMOS管的栅极均连接，所述第十八PMOS管的栅极与所述第十八PMOS管的漏极、所述第十六PMOS管的栅极、所述第十七PMOS管的漏极和所述第十六NMOS管的漏极连接；

所述第十五NMOS管的漏极用于输出所述第二放大信号；

所述第十六NMOS管的漏极用于输出所述第一放大信号。

3.如权利要求2所述的比较器电路，其特征在于，所述第一放大电路包还包括：第十七NMOS管、第十八NMOS管和第十九NMOS管；

所述第十七NMOS管、所述第十八NMOS管和所述第十九NMOS管的源极均接地，所述第十七NMOS管、所述第十八NMOS管和所述第十九NMOS管的栅极均接外部偏置电压，所述第十七NMOS管的漏极分别与所述第十一NMOS管和所述第十二NMOS管的源极连接，所述第十八NMOS管的漏极分别与所述第十三NMOS管和所述第十四NMOS管的源极连接，所述第十九NMOS管的漏极分别与所述第十五NMOS管和所述第十六NMOS管的源极连接。