[发明专利]固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法在审
申请号: | 202011558164.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114678385A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 小谷成望;藤田庆 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像元件,具备:
半导体基板,具有二维地排列的多个光电变换元件;
第一光路层,设置于所述半导体基板的一面侧;
第二光路层,设置于所述第一光路层的与所述半导体基板相反侧的面上;
遮光层,形成在所述第一光路层与所述第二光路层之间;以及
多个微透镜,二维地配置在所述第二光路层的与所述遮光层相反侧的面上,
所述遮光层在与所述光电变换元件对应的位置形成有用于确保向所述光电变换元件入射的光的光路的开口部,
在沿着所述遮光层的厚度方向且经过所述开口部的截面中,所述开口部的沿所述厚度方向的高度尺寸为b,所述开口部的沿与所述厚度方向正交的方向的开口尺寸为a,所述高度尺寸相对于所述开口尺寸之比b/a即纵横比为α,满足a≥3μm且α≥1,
在所述开口部中以与该开口部相同的形状形成有光能够透射的柱状构造,
构成所述柱状构造的光致抗蚀剂为负性。
2.如权利要求1所述的固体摄像元件,其中,
所述柱状构造具有所述第一光路层、所述第二光路层及所述遮光层的膜厚合计起来的高度。
3.如权利要求1所述的固体摄像元件,其中,
所述柱状构造具有与所述遮光层的膜厚相同的高度。
4.如权利要求1所述的固体摄像元件,其中,
所述固体摄像元件包括进行感光成像的多个像素排列而成的有效像素区域,
在所述有效像素区域的外周设置有对准标记,
所述对准标记的高度形成为不低于所述遮光层的顶面。
5.如权利要求4所述的固体摄像元件,其中,
所述对准标记由与所述柱状构造相同的材料形成。
6.一种固体摄像元件的制造方法,用于制造权利要求1至5中任一项所述的固体摄像元件,该制造方法包括:
柱状构造形成工序,由负性的光致抗蚀剂,以高度尺寸相对于宽度尺寸之比即纵横比为1以上且宽度尺寸为3μm以上的方式,形成光能够透射的柱状构造;以及
遮光层形成工序,在所述柱状构造形成工序之后,以将所述柱状构造作为填充物包含在内的方式形成遮光层。
7.如权利要求6所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
在形成了所述遮光层之后,以使所述柱状构造从所述遮光层露出的方式除去所述遮光层的规定厚度,将所述柱状构造形成为与所述遮光层的膜厚相同的高度。
8.如权利要求6所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
还包括:
第一光路层及第二光路层形成工序,以将所述柱状构造的至少一部分作为填充物包含在内的方式依次层叠形成第一光路层、所述遮光层及第二光路层,
在依次层叠形成所述第一光路层、所述遮光层及所述第二光路层之后,以使所述柱状构造从所述第二光路层露出的方式除去所述第二光路层的规定厚度,将所述柱状构造形成为所述第一光路层、所述第二光路层及所述遮光层的膜厚合计起来的高度。
9.如权利要求8所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
在依次层叠形成所述第一光路层、所述遮光层及所述第二光路层时,将所述柱状构造用作所述第一光路层、所述遮光层及所述第二光路层的定位基准。
10.如权利要求6所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
还包括:
对准标记形成工序,在固体摄像元件的有效像素区域的外周设置对准标记,
将所述对准标记的高度形成为不低于所述遮光层的顶面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的