[发明专利]一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法

说明书

本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。

化学气相沉积的主要过程都是在CVD设备中的反应腔室中完成的，在化学气相沉积的过程中需要对加热载台上的晶圆加热，然而，由于加热载台上设置有通孔，该通孔导致晶圆的受热不均，影响晶圆表面的薄膜沉积的厚度和效率。

发明内容

本申请实施例通过提供一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，解决了现有技术中晶圆在加热载台上受热不均的技术问题，实现了改善晶圆表面薄膜沉积厚度以及提高晶圆表面薄膜沉积效率的技术效果。

第一方面，本申请提供了一种晶圆加热载台，包括：

载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。

进一步地，顶针本体的内部设置有空腔，加热装置设置在空腔内。

进一步地，加热装置包括加热部件和电源线，加热部件与电源线电连接；其中，加热部件设置在空腔内。

进一步地，加热部件包括电阻加热部件或电磁加热部件。

进一步地，顶针本体的材质与载台本体的材质相同。

进一步地，顶针本体的材质为氮化铝。

进一步地，顶针本体的长度为1cm～20cm。

进一步地，载台本体上设置的通孔的数量为4个，每个通孔对应设置有一个顶针本体。

第二方面，本申请提供了一种气相沉淀设备，设备包括一种晶圆加热载台。

第三方面，本申请提供了一种晶圆加热方法，方法包括：

将晶圆放置在晶圆加热载台上，其中，加热装置对顶针本体加热，载台本体和顶针本体共同向晶圆传热。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1、本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，在此基础上，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。