[发明专利]在其虚设阵列上具有短路结构的存储器阵列及其提供方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

有源存储器阵列，包括存储器单元和地址线，所述地址线包括位线(BL)和字线(WL)，所述存储器单元中的每个存储器单元连接在所述BL中的一个和所述WL中的一个之间；

虚设阵列，其包括虚设地址线，所述虚设地址线包括虚设BL和虚设WL；

至少一个短路结构，其跨所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线延伸并与之电接触，以将所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线一起电短路；以及

至少一个接触结构，其从所述虚设阵列延伸并电耦合至所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线，以将所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线连接至预定电压。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线包括所有所述虚设BL或所有所述虚设WL。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少一个接触结构是单接触结构，并且所述预定电压对应于接地。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，还其包括支撑所述有源存储器阵列和所述虚设阵列的衬底结构，所述衬底结构在其中包括控制电路，所述控制电路包括一个或多个偏置电路，所述至少一个接触结构电耦合至所述一个或多个偏置电路以将所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线连接到所述预定电压。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，所述一个或多个偏置电路包括单个偏置电路。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少一个短路结构包括多个短路结构，所述至少一些虚设地址线包括虚设地址线的多个集群，并且所述多个短路结构中的每一个跨所述虚设地址线的多个集群中的对应一个集群延伸并与之接触，以将所述地址线的多个集群中的所述对应一个集群一起电短路。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中，所述多个短路结构包括多个阵列通孔，所述存储器设备包括在所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线上方的介电层，所述多个阵列通孔通过光刻工艺、蚀刻所述介电层以在其中形成阵列通孔凹槽并用导电材料填充所述凹槽而形成。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，所述多个阵列通孔形成菊花链短路图案，以将所述虚设地址线的集群中的连续集群一起电短路。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少一个短路结构包括通过与阵列通孔光刻工艺不同的光刻工艺形成的至少一条导电线。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线包括所有所述虚设BL或所有所述虚设WL。

11.一种制造存储器设备的方法，包括：

形成存储器阵列，包括：

形成有源存储器阵列，包括形成存储器单元和地址线，所述地址线包括位线(BL)和字线(WL)，所述存储器单元中的每个存储器单元连接在所述BL中的一个和所述WL中的一个之间；以及

在形成所述地址线期间，形成包括虚设地址线的虚设阵列，所述虚设地址线包括虚设BL和虚设WL；

形成至少一个短路结构，其跨所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线延伸并与之电接触，以将所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线一起电短路；以及

形成至少一个接触结构，其从所述虚设阵列延伸并电耦合至所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线，以将所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线连接至预定电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述至少一个短路结构包括多个短路结构，所述虚设地址线中的所述至少一些虚设地址线包括虚设地址线的多个集群，并且形成所述多个短路结构包括形成所述多个短路结构使得所述多个多路结构中的每一个跨所述虚设地址线的多个集群中的对应一个集群延伸并与之接触，以将所述地址线的多个集群中的所述对应一个集群一起电短路。