[发明专利]一种二维高性能超高频谐振器

权利要求书

1.一种二维高性能超高频谐振器，包括：接触式二维高性能超高频谐振器、非触式二维高性能超高频谐振器；

所述接触式二维高性能超高频谐振器包括：压电层、电极层、电桥；所述电极层沉积于压电层之上；所述电极层包含多个子电极；所述子电极形状为圆环形、椭圆环形、圆环与圆形组合形、椭圆环与椭圆组合形；所述电桥置于压电层上方与所述压电层接触，所述电桥沉积在所述电极层上方，所述电桥与所述子电极连接；所述子电极存在内部空腔，填充温补材料；所述圆环与圆形组合形中，所述圆环与所述圆形通过电桥连接；所述椭圆环与椭圆组合形中，所述椭圆环和所述椭圆通过电桥连接；

所述非触式二维高性能超高频谐振器包括：压电层、电极层、电桥；所述电极层沉积于压电层之上；所述电极层包含多个子电极；所述子电极形状为圆环形、椭圆环形、圆环与圆形组合形、椭圆环与椭圆组合形；所述电桥置于所述电极层上方，所述电桥与所述压电层不接触，所述电桥沉积在所述电极层上方，所述电桥与所述子电极连接；所述子电极与所述电桥之间存在内部空腔，填充空气或温补材料；所述圆环与圆形组合形中，所述圆环与所述圆形通过电桥连接；所述椭圆环与椭圆组合形中，所述椭圆环和所述椭圆通过电桥连接。

2.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述子电极的水平方向间距大于谐振器的波长，所述子电极的竖直方向间距大于谐振器的波长。

3.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述电桥结构的形状为矩形，四边形或多边形。

4.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述压电层的材料为铌酸锂、钽酸锂、氮化铝或掺杂氮化铝。

5.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述电极层的材料选用铂、钼、金、钨、铜或铝。

6.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述电桥的材料选用铂、钼、金、钨、铜或铝。

7.根据权利要求1所述的二维高性能超高频谐振器，其特征在于：

所述温补材料选用二氧化硅等正温度系数材料。