[发明专利]一种基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源在审

专利信息
申请号: 202011559258.7 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112737372A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 张雷;崔瑾;郑一专;周玲玲;吴典;姚子豪;杨德健;任磊 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H02M3/335;H02M1/14;H02M1/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 整流 llc 谐振 电路 熔喷布驻极 电源
【权利要求书】:

1.一种基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,包括电网交流电压(Vac)、全控整流桥电路、第一直流电容(C1)、第二直流电容(C2)、第一均压电阻(R1)、第二均压电阻(R2)、半桥LLC谐振电路和高压包;所述电网交流电压(Vac)与全控整流桥电路的输入端连接,所述全控整流桥电路的输出端与半桥LLC谐振电路的输入端连接,所述半桥LLC谐振电路的输出端与高压包连接;

所述第一直流电容(C1)和第二直流电容(C2)、第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)两两相互串联后并联于全控整流桥电路与半桥LLC谐振电路之间;

所述高压包包括升压变压器、以及与升压变压器连接的高压侧整流桥。

2.根据权利要求1所述的一种基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述全控整流电路由第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)、第三开关管MOSFET(M3)和第四开关管MOSFET(M4)构成;所述第一开关管MOSFET(M1)和第三开关管MOSFET(M3)的中点与滤波电感(L)串联并与电网交流电压(Vac)的一端连接;所述第二开关管MOSFET(M2)和第四MOSFET(M4)的中点与电网交流电压(Vac)的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述半桥LLC谐振电路由第五MOSFET(M5)、第六MOSFET(M6)、谐振电感(Lr)和谐振电容(Cr)构成;所述第一直流电容(C1)、第二直流电容(C2)和第一均压电阻(R1)、第二均压电阻(R2)的中间端与谐振电感(Lr)和谐振电容(Cr)串联并与高压包内升压变压器低压侧的一端连接,所述第五MOSFET(M5)和第六MOSFET(M6)的中间端与高压包内升压变压器低压侧的另一端连接,所述升压变压器高压侧与高压侧整流桥连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述基于全控整流桥和半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源的实现方法如下:

工作时,电网交流电压(Vac)的能量经过全控整流桥电路整流为直流电压,再通过第一直流电容(C1)、第二直流电容(C2)、第一均压电阻(R1)、第二均压电阻(R2)和半桥LLC谐振电路对整流输出电压进行逆变,最终经高压包升压输出高压直流电压;

在全控整流桥电路整流过程中:第一开关管MOSFET(M1)、和第四开关管MOSFET(M4)和第二开关管MOSFET(M2)、第三开关管MOSFET(M3)呈互补状态,两组器件交替导通,通过PWM调制改变整流输出的直流电压,实现交变电流的转换;

在半桥LLC谐振电路中:通过第一直流电容(C1)和第二直流电容(C2)进行滤波,并经过第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)将全控整流桥输出电压(Vab)均分为一半,再通过半桥LLC谐振电路进行逆变,最终将输入的直流电压转换成交流电压输出。

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