[发明专利]一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料

说明书

本发明涉及有机半导体领域，公开了一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料，该齐聚物材料具有如式(I)所示的结构通式，当共轭骨架上的两种烷基侧链R₁和R₂都为异辛基时，降低了齐聚物材料的溶解度，提高了齐聚物材料的空穴迁移率，该类齐聚物材料能够在室温下成膜，无需经过任何热处理，即具有良好的空穴迁移率(≥0.20cm²V^‑1s^‑1)

技术领域

本发明涉及有机半导体领域，具体来说是涉及一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料。

背景技术

齐聚物具有结构明确、纯化简单且成膜性良好等优点，但是当前大部分齐聚物的迁移率都较低，一般为10^-2～10^-4cm² V^-1s^-1；通过共轭骨架结构优化和侧链工程，曾得到了空穴迁移率性能良好的齐聚物半导体材料，但为了提供烷基链重排和共轭骨架自组装能力，薄膜结构优化过程中一般都需要较高温度的后退火处理，这对于衬底材料和薄膜的热膨胀系数提出了要求，且增加了器件制备的成本，与有机半导体材料加工成本低的优势相悖。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料，该材料在室温条件下即可成膜，不需要任何后退火处理，表现出优异的空穴迁移传输性能，空穴迁移率≥0.20cm² V^-1s^-1。

本发明采取的技术方案是提供一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料，具有如式(I)所示的结构通式：

式(I)中，R₁为异辛基，R₂为异辛基。

该齐聚物材料依靠刚性共轭骨架和适宜的烷基链(异辛基)的作用，在溶剂挥发过程中进行有序排列，在室温条件下成膜，无需后退火处理，即表现出良好的空穴传输行为，室温下的空穴迁移率≥0.20cm²V^-1s^-1。

附图说明

图1是齐聚物材料M1的核磁共振氢谱谱图。

图2是齐聚物材料M1在室温条件下制备的薄膜晶体管的转移曲线。

图3是齐聚物材料M1在室温条件下制备的薄膜的AFM高度图。

图4是齐聚物材料M1在室温条件下制备的薄膜XRD图。

具体实施方式

以下实施例是对本发明的进一步说明，不是对本发明的限制。

实施例1：

本实施例提供了一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料M1，结构式如下(R₁＝R₂＝异辛基)：