[发明专利]一种S波段混合集成电路

权利要求书

1.一种S波段混合集成电路，包括封装管壳（1），其特征在于，所述封装管壳（1）的内部设置有两级放大电路，所述封装管壳（1）上设置有与所述两级放大电路连接的栅极供电端（2）、信号输入端引脚（3）、信号输出端引脚（4）和漏极供电端（5），所述栅极供电端（2）通过微带线与所述两级放大电路电性连接，所述信号输出端引脚（4）通过微带线与所述两级放大电路电性连接；

所述两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，所述前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片（10）以及输入两级匹配电路，所述输入两级匹配电路包括串联电感以及第一匹配电容（9），所述串联电感和所述第一匹配电容（9）串联；

所述后级放大电路包括后级24瓦GaN芯片（13）以及输入输出两级匹配电路，所述输入输出两级匹配电路包括串联电感、绕圈贴片电感（14）、第二匹配电容（12）以及第三匹配电容（15），所述串联电感、所述绕圈贴片电感（14）、所述第二匹配电容（12）和所述第三匹配电容（15）串联。

2.根据权利要求1所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述封装管壳（1）的内部设置有偏置电路（16），所述偏置电路（16）包括偏置电路输入端（161）、第三偏置电容（168）、第四偏置电容（169）、第五偏置电容（1611）以及偏置电路输出端（162），所述偏置电路输入端（161）与所述信号输入端引脚（3）连接。

3.根据权利要求2所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述偏置电路（16）还包括第一四分之一波长线（163）、第二四分之一波长线（166）、第三四分之一波长线（1612）以及第四四分之一波长线（1613）。

4.根据权利要求2所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述偏置电路（16）并联有第一偏置电容（61）和第二偏置电容（7），所述前级4瓦GaN芯片（10）和所述后级24瓦GaN芯片（13）的输入端和输出端均连接有隔直电容（62）。

5.根据权利要求1所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述前级4瓦GaN芯片（10）和所述后级24瓦GaN芯片（13）均为L型匹配电路。

6.根据权利要求1所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述前级4瓦GaN芯片（10）上设置有前级4瓦GaN芯片栅极（101）和前级4瓦GaN芯片漏极（102），所述后级24瓦GaN芯片（13）上设置有后级24瓦GaN芯片栅极（131）和后级24瓦GaN芯片漏极（132），所述前级4瓦GaN芯片栅极（101）、所述前级4瓦GaN芯片漏极（102）、所述后级24瓦GaN芯片栅极（131）和所述后级24瓦GaN芯片漏极（132）均连接有滤波电容（8）。

7.根据权利要求1所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述前级4瓦GaN芯片（10）和所述后级24瓦GaN芯片（13）之间连接有衰减器（11）。

8.根据权利要求1-权利要求7任意一项所述的一种S波段混合集成电路的控制方法，其特征在于：信号从信号输入端引脚（3）输入，传入偏置电路输入端（161），然后依次经过第一匹配电容（9）和绕圈贴片电感（14）组成的L型匹配电路，进入前级4瓦GaN芯片（10）内的前级4瓦GaN芯片栅极（101），放大后通过前级4瓦GaN芯片漏极（102）出来，经过第三偏置电容（168），再从第四偏置电容（169）输出，连接到衰减器（11）内，再从衰减器（11）出来，依次经过由第二匹配电容（12）和绕圈贴片电感（14）组成的后级24瓦GaN芯片（13）内，放信号大后由后级24瓦GaN芯片漏极（132）依次通过绕圈贴片电感（14）和第三匹配电容（15）组成的后级24瓦GaN芯片（13），最后通过第五偏置电容（1611），信号最终从偏置电路输出端（162）输出。

9.根据权利要求1-权利要求7任意一项所述的一种S波段混合集成电路的控制方法，其特征在于：栅极电源与栅极供电端（2）相连，再接入到滤波电容（8），分成两路，一路依次通过第二偏置电容（7）、第三四分之一波长线（1612）到达前级4瓦GaN芯片栅极（101），另一路依次通过第一偏置电容（61）、第四四分之一波长线（1613）到达后级24瓦GaN芯片栅极（131），漏极电源与漏极供电端（5）相连，再接入到滤波电容（8），分成两路，一路依次通过第二偏置电容（7）、第一四分之一波长线（163）到达前级4瓦GaN芯片漏极（102），另一路依次通过第二偏置电容（7）、第二四分之一波长线（166）到达后级24瓦GaN芯片漏极（132）。