[发明专利]一种X射线荧光光谱自适应本底扣除方法有效
申请号: | 202011559937.4 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112801936B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 李福生;何星华;张智泉;程惠珠;赵彦春 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06N3/12;G06N3/04;G01N23/223 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 陈一鑫 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 荧光 光谱 自适应 本底 扣除 方法 | ||
1.一种X射线荧光光谱自适应本底扣除方法,具体步骤包括:
步骤1:通过X荧光分析仪器采集一批特定样品的X射线荧光光谱,并分别获得测量样品数据集S={fi,i=1,2,…,M},fi表示第i个样品谱图数据,其中M为样品个数;定义第i个样品的原始谱图数据为fi0;定义第i个样品的第k次本底拟合滤波迭代后谱图本底近似值为fik,1≤k≤N;定义fik中第j个通道的计数率为fijk;N表示高斯卷积迭代次数;
步骤2:利用遗传优化算法优化高斯卷积迭代次数N和高斯函数的标准差值σ,并获得最优的迭代次数Nopt和标准差值σopt;
其中,遗传优化算法采用的适应度评价函数利用以下方式定义:针对任意元素E,设E为元素Cr,当前优化过程的参数值设为Np和σp,根据σp构建高斯卷积核K(σp),利用高斯卷积核K(σp)对M个样品的谱图分别进行Np次卷积滤波迭代,分别获得近似拟合本底1≤i≤M,并分别对M个样本进行本底扣除;计算本底扣除后M个样品所含元素Cr的特征峰面积A={A1,A2,…,AM},最后利用A和M个标准样品真实Cr元素含量矩阵C={C1,C2,…,CM}求A和C的线性拟合优度R2作为GA优化算法的适应度评价函数,具体表达式为:
式中,R2为拟合优度,M为标样个数,Ai为第i个标样谱图中元素Cr对应的峰面积,Ci为第i个样品中元素Cr实际含量,为M个样品元素Cr实际含量的平均值;
采用该适应度评价函数的遗传优化算法对高斯卷积迭代次数N和高斯函数的标准差值σ进行优化;
步骤3:采用步骤2得到的最优高斯卷积核参数σopt构建最优高斯卷积核K(σopt),并根据步骤2获得的最优迭代次数Nopt进行迭代高斯卷积滤波本底拟合,假设当前迭代次数为L,1≤L≤Nopt,拟合本底为fiL,上一次迭代拟合本底为fiL-1,为提高效率,预设接受误差值θ,若小于θ,则提前跳出迭代并返回最佳本底fiL,L≠Nopt;并且否则,经过Nopt次迭代获得近似拟合低频本底
其中,高斯卷积核K(σopt)大小为3,其具体表达式为:
其中Gau(x)为高斯函数,σopt为高斯函数中最优标准差参量;
步骤4,将步骤3中基于迭代高斯卷积滤波最终获得的本底近似拟合量从原光谱fi0中扣除。
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