[发明专利]键合晶圆双面减薄对准的方法在审
申请号: | 202011560302.6 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114695223A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 李盈 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/304;H01L23/544 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 杨东明;张冉 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合晶圆 双面 对准 方法 | ||
1.一种键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,包括:
提供键合晶圆,所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记;
减薄所述键合晶圆的第二面;
以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记;
减薄所述第一面;
以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。
2.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,所述键合晶圆包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆,所述第二晶圆的背面为所述第一面,所述第一晶圆的背面为所述第二面。
3.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,所述第一组标记和所述第二组标记分别包括两个标记。
4.如权利要求2所述的键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,所述提供键合晶圆的步骤,包括:
提供所述第一晶圆,所述第一晶圆的正面包含有第三组标记;
对准所述第三组标记对所述第一晶圆拍照,得到包含所述第一晶圆的照片;
提供第二晶圆,所述第二晶圆的背面包含有所述第一组标记;
将所述第一组标记和所述照片中第一晶圆的第三组标记对准后键合。
5.如权利要求4所述的键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,所述第一组标记、所述第二组标记和所述第三组标记分别包括两个标记。
6.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法,其特征在于,减薄所述第一面后所述第一组标记被去除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造