[发明专利]具有增大的有效通道宽度的晶体管

权利要求书

1.一种图像传感器，其包括：

光电二极管，其形成在衬底材料中；及

晶体管，其耦合到所述光电二极管，所述晶体管包括：

沟槽结构，其形成在所述衬底材料中且在通道宽度平面中具有多边形横截面，所述多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个侧壁部分；

隔离层，其放置在所述衬底材料上，使得所述隔离层邻近所述沟槽结构的每一侧壁部分放置；及

栅极，其放置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽结构中，

其中所述晶体管具有在所述通道宽度平面中测量的有效通道宽度，其比所述晶体管的平面通道宽度更宽。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每一侧壁部分具有在所述平面通道宽度中测量的侧壁尺寸，且所述有效通道宽度至少等于每一侧壁部分的所述侧壁尺寸的总和。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少四个侧壁部分中的两者具有相同的第一侧壁尺寸，且其中所述至少四个侧壁部分中的其它两者具有相同的第二侧壁尺寸。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述沟槽结构具有约0.150um到约0.200um的深度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中多个所述至少四个侧壁部分相对于所述通道宽度平面中的所述衬底材料的背面或正面呈对角。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少四个侧壁部分包含底部侧壁部分，其大致平行于所述衬底材料的背面或正面。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述底部侧壁部分具有约0.030um到约0.050um的宽度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多边形横截面具有菱形形状。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述沟槽结构在通道长度平面中具有多边形横截面。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管为第一晶体管，且所述图像传感器进一步包含与所述第一晶体管电通信的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二沟槽结构，其形成在所述衬底材料中，在第二通道宽度平面中具有第二多边形横截面，所述第二多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个第二侧壁部分；

第二隔离层，其放置在所述衬底材料上，使得所述第二隔离层邻近所述第二沟槽结构的每一第二侧壁部分放置；及

第二栅极，其放置在所述第二隔离层上且延伸到所述第二沟槽结构中，

其中所述第二晶体管具有在所述第二通道宽度平面中测量的第二有效通道宽度，其比所述第二晶体管的第二平面通道宽度更宽。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一晶体管是源极跟随器晶体管且所述第二晶体管是行选择晶体管。

12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一多边形横截面及所述第二多边形横截面具有菱形形状。

13.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管进一步包括：

隔离植入物，其在所述衬底材料中放置在所述沟槽结构与所述光电二极管之间；

间隔件，其放置在所述栅极周围；及

电介质层，其放置在所述栅极及所述隔离层上方。

14.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少四个侧壁部分中的至少两者相对于所述衬底材料的背面或正面形成约40度到约60度之间的角度。