[发明专利]用于确定存取线的电容和电阻特性的装置和方法

说明书

本申请涉及一种确定存取线的电容与电阻特性的装置和方法。具有存储器单元阵列和用于访问存储器单元阵列的控制器的装置，其中控制器被配置为促使所述装置响应于向存取线施加参考电流而确定存取线的电容和/或电阻值，其中存取线连接到存储器单元阵列的存储器单元的控制栅极。

相关申请

本申请要求2019年12月27日提交的美国临时申请第62/954,079号的权益，在此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路，并且具体地，在一个或多个实施例中，本公开涉及用于确定存取线的电容和电阻特性的装置和方法。

背景技术

集成电路设备涵盖范围广泛的电子设备。一种特定类型包含存储器设备，通常简称为存储器。存储器设备通常被提供作为计算机或其他电子设备中的内部半导体集成电路设备。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及闪存存储器。

闪存存储器已经发展成广泛用于各种电子应用的非易失性存储器的来源。闪存存储器通常使用一个晶体管存储器单元，以实现高存储密度、高可靠性和低功率消耗。通过对电荷存储结构(例如，浮栅或电荷陷阱)进行编程(其通常称为写入)或其他物理现象(例如，相变或极化)而引起的存储器单元的阈值电压(Vt)的变化，决定了每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。闪存存储器和其他非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线设备、移动电话和可移动存储器模块，并且非易失性存储器的用途在不断扩展。

NAND闪存存储器是闪存存储器设备的一种常见类型，之所以这么叫是出于布置基本存储器单元配置的所采用的逻辑形式。通常，用于NAND闪存存储器的存储器单元阵列被布置成使得该阵列的行中的每个存储器单元的控制栅极被连接在一起以形成诸如字线的存取线。阵列的列包含在一对选择栅极(例如，源极选择晶体管和漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元的串(通常称为NAND串)。每个源极选择晶体管可以连接至源极，而每个漏极选择晶体管可以连接至数据线，诸如列位线。已知在存储器单元的串与源极之间和/或在存储器单元的串与数据线之间使用一个以上选择栅极的变型。

由于存储器制造中通常固有的可变性，各种电路组件的物理属性通常在不同存储器之间或单个存储器的不同部分之间变化。因此，不同的操作参数，例如电压电平或时序特性，可用于不同的存储器或单个存储器的不同部分，以产生相似的操作结果。确定这些操作参数可能涉及使用初始的一组操作参数对包含各种存取操作的存储器执行测试以建立基准操作特性，并响应于测试结果调整操作参数，直到获得期望的操作特性为止。

发明内容

在一方面，本公开提供一种装置，其包括：存储器单元阵列；多个存取线，其中所述多个存取线中的每个存取线连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元的控制栅极；以及控制器，所述控制器用于访问所述存储器单元阵列，其中所述控制器被配置为促使所述装置：向所述多个存取线中的选定存取线施加参考电流；在施加所述参考电流的同时，当所述选定存取线的近端的电压电平被认为超过第一电压电平时识别第一事件；在施加所述参考电流的同时，当所述选定存取线的所述近端的所述电压电平被认为超过第二电压电平时识别第二事件，所述第二电压电平高于所述第一电压电平；以及响应于所述参考电流的电流电平、所述第二事件与所述第一事件之间的时间差，以及所述第二电压电平与所述第一电压电平之间的电压差，确定所述选定存取线的电容值。