[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有支撑层以及在所述支撑层内形成有电容柱；

在所述支撑层的上方形成图案化的电极板，所述图案化的电极板包含完全包围所述电容柱的连接层，以及位于所述连接层上方的图案化的覆盖层，所述连接层的部分区域相对于所述图案化的覆盖层露出。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述支撑层的上方形成图案化的电极板，包括：

在所述支撑层的上方形成完全包围所述电容柱的连接层；

在所述连接层的上方形成覆盖层；

将所述覆盖层进行图案化处理，形成所述图案化的覆盖层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述支撑层的上方形成图案化的电极板，包括：

在所述支撑层的上方形成完全包围所述电容柱的连接层；

将所述连接层进行图案化处理，以形成所述连接层上表面的凹槽区域；

在所述凹槽区域内填充覆盖层材料，形成所述图案化的覆盖层。

4.如权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，所述电极板的图案化形态是连续线条图案，或者间隔开的封闭图案。

5.如权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，形成所述连接层的材料为多晶硅、掺杂多晶硅、SiGe或者掺杂SiGe中的任意一种。

6.如权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层的材料为含有金属氮化物的导电金属，或者为金属氮化物。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上方的支撑层；

位于所述支撑层内的电容柱；

位于所述支撑层上方的图案化的电极板，所述图案化的电极板包含完全包围所述电容柱的连接层，以及位于所述连接层上方的图案化的覆盖层，且所述连接层的部分区域相对于所述图案化的覆盖层露出。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述图案化的电极板，包括：

位于所述支撑层上方的连接层，且所述连接层完全包围所述电容柱；

位于所述连接层上方的图案化的覆盖层，所述连接层的部分区域相对于所述图案化的覆盖层露出。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述图案化的电极板，包括：

位于所述支撑层的上方的连接层，所述连接层完全包围所述电容柱，且所述连接层的上表面形成有凹槽区域；

图案化的覆盖层，填充于所述连接层的凹槽区域内，所述连接层的部分区域相对于所述图案化的覆盖层露出。

10.如权利要求7-9中任一所述的半导体器件，其特征在于，所述电极板的图案化形态是连续线条图案，或者间隔开的封闭图案。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述连接层为多晶硅、掺杂多晶硅、SiGe或者掺杂SiGe。

12.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层为含有金属氮化物的导电金属或者为金属氮化物。

13.一种存储器件，其特征在于，包括权利要求7-12中任一所述的半导体器件。