[发明专利]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括载气管、前驱物气源、进气管、工艺腔室、副产物检测器和管路清洁组件，其中，

所述载气管用于将载气通入所述前驱物气源，所述前驱物气源用于产生前驱物气体，所述进气管用于将所述载气与所述前驱物气体的混合气体通入所述工艺腔室；

所述副产物检测器设置在所述进气管路上，用于检测所述进气管中存在的所述前驱物气体的分解产物的浓度；

所述管路清洁组件用于根据所述分解产物的浓度对所述进气管进行清洗。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述副产物检测器包括碳氧化物传感器，用于检测所述进气管中碳氧化物的浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述管路清洁组件包括控制器、第一流量控制件、第一通断控制件、第二通断控制件、第三通断控制件，其中，

所述第一流量控制件设置所述载气管上，靠近所述载气管的入口，用于控制所述载气管中的气体流量；

所述第一通断控制件设置在所述载气管上，用于控制所述载气管的通断；

所述第二通断控制件和所述第三通断控制件设置在所述进气管上，所述第二通断控制件靠近所述进气管的入口，所述第三通断控制件靠近所述进气管的出口，均用于控制所述进气管的通断；

所述控制器用于设置所述第一流量控制件的目标流量值，控制所述第一通断控制件、所述第二通断控制件、所述第三通断控制件的通断。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述管路清洁组件还包括第一短路管和第二短路管，所述第一短路管上设置有第四通断控制件，所述第二短路管上设置有第五通断控制件，所述第一短路管一端在所述第一流量控制件和所述第一通断控制件之间与所述载气管路连通，另一端在所述第二通断控制件和所述第三通断控制件之间与所述进气管路连通，所述第二短路管一端在所述第一通断控制件与所述载气管出口之间与所述载气管路连通，另一端在和所述第二通断控制件和所述进气管路的入口之间与所述进气管路连通；

所述控制器还用于控制所述第四通断控制件和所述第五通断控制件的通断。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括尾气管、旁路管、抽气装置，所述抽气装置通过所述尾气管与所述工艺腔室连通，所述旁路管的一端在所述第二通断控制件和所述第三通断控制件之间与所述进气管路连通，另一端与所述尾气管连通，所述旁路管上设置有第六通断控制件；

所述控制器还用于控制所述第六通断控制件的通断，及所述抽气装置的开闭。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器还用于在所述分解产物的浓度满足第一预设条件时，将所述第一流量控制件的目标流量设置为第一预设流量，关闭所述抽气装置，开通所述第一通断控制件、所述第二通断控制件、所述第四通断控制件、所述第五通断控制件、所述第六通断控制件，关断所述第三通断控制件；在第一预设时间后，将所述第一流量控制件的目标流量设置为零，并开启所述抽气装置。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一预设条件包括：所述副产物检测器检测到的所述分解产物的浓度大于第一预设浓度阈值的次数高于第一预设值。

8.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述管路清洁组件还包括启辉气体管、第二流量控制件、等离子体源、等离子体管，所述启辉气体管用于将启辉气体通入所述等离子体源，所述第二流量控制件设置在所述启辉气体管上，用于控制所述启辉气体的流量，所述等离子体源用于将所述启辉气体激发为等离子体，所述等离子体管分别与所述等离子体源和所述进气管路连通，用于将所述等离子体导入所述进气管路；

所述控制器还用于设置所述第二流量控制件的目标流量值，以及控制所述等离子体源的开闭。