[发明专利]一种改善金属层漏电流的测试方法在审

申请号：	202011561811.0	申请日：	2020-12-25
公开（公告）号：	CN112701057A	公开（公告）日：	2021-04-23
发明（设计）人：	陆跃春;徐晓林	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;G01R31/26;G01R31/52
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种改善金属漏电测试方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善金属层漏电流的测试方法，提供测试机台、SMU仪以及包含多个晶圆的一个lot；将lot中的其中一片晶圆置于测试机台的卡盘上；将SMU仪接到测试机台端，并且将SMU仪的Force line端连接在卡盘的上表面；将SMU仪的Guard line端连接在卡盘的下表面；对晶圆中的多个金属层进行漏电流测试，收集所测试的金属层的漏电流数据；对lot中每片晶圆进行相应金属层漏电流的测试，收集lot中所有晶圆中所测试的相应金属层的漏电流数据；对比所测试的所有晶圆中相同金属层的漏电流数据。本发明采用放电效果更佳的SMU机制，有效降低电荷对金属层漏电流测试的影响，从而有效减小一个lot中多个晶圆相同金属层漏电流上升的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善金属层漏电流的测试方法。

背景技术

芯片的电性参数漏电leakage数量级较低，因而对测试精度提出很高的要求，生产以及测试过程中引入的电荷会对测试结果的准确性造成影响。在一个lot(包括25片晶圆)的测试中，由于测试中电荷积累导致金属层漏电流上升，目前行业中普遍采用GNDU的放电机制，对于技术节点较高的28nm LP工艺效果不明显。

因此，有必要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善金属层漏电流的测试方法，用于解决现有技术中采用GNDU的放电机制对于技术节点较高的工艺，电性参数漏电测试精确度低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善金属层漏电流的测试方法，至少包括：

步骤一、提供测试机台、SMU仪以及包含多个晶圆的一个lot；

步骤二、将所述lot中的其中一片晶圆置于所述测试机台的卡盘上；将所述SMU仪接到所述测试机台端，并且将所述SMU仪的Force line端连接在所述卡盘的上表面；将所述SMU仪的Guard line端连接在所述卡盘的下表面；

步骤三、对步骤二中的所述晶圆中的多个金属层进行漏电流测试，收集所测试的金属层的漏电流数据；

步骤四、重复步骤一至步骤三，对所述lot中每片晶圆进行相应金属层漏电流的测试，收集所述lot中所有晶圆中所测试的相应金属层的漏电流数据；