[发明专利]一种基于分子结构参数的SF6有效

专利信息
申请号: 202011561991.2 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112634998B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 尤天鹏;周文俊;郑宇;李涵 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G16C20/50 分类号: G16C20/50;G16C20/70;G06N3/04;G06N3/08
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 彭艳君
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 分子结构 参数 sf base sub
【权利要求书】:

1.一种基于分子结构参数的SF6替代气体寻找方法,其特征是,包括以下步骤:

步骤1、建立环保绝缘气体的分子结构参数模型,以静电势0.001a.u.通过以下公式进行计算;

式中,ZA为核电荷数;RA为原子坐标;ρ(r′)为r′处的分子密度;r为分子半径,r′为坐标点;

利用GUASSVIEW和GUASSIAN进行分子结构参数和分子表面静电势的计算;

步骤2、算法优化;将步骤1计算出的环保绝缘气体分子的表面静电势、分子结构参数输入至神经网络的模型中,作为输入端,通过黑盒模型得到该结构参数与介电强度的关系;

步骤3、根据步骤2算法得到分子结构参数与介电强度的关系,通过删减分子结构参数的个数,得到分子结构参数与介电强度的相关系数,对比两种缺少参数的公式的法线向量,判断这两种参量是否为相关参量,若为相关参量,则一个参量表征两个参数对介电强度的影响。

2.如权利要求1所述基于分子结构参数的SF6替代气体寻找方法,其特征是,步骤1所述分子结构参数包括分子体积和分子键长;选取GUASSIAN软件作为分子结构参数计算软件,采用CCSD方法对不同分子的分子表面静电势、分子表面极性电势、分子体积进行计算。

3.如权利要求1所述基于分子结构参数的SF6替代气体寻找方法,其特征是,步骤2所述神经网络的模型为BP神经网络模型,输入分子结构参数为4,隐藏层为7,输出介电强度1。

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