[发明专利]用于对邻近半导体裸片进行晶片级测试的方法和设备在审
申请号: | 202011562152.2 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113129990A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | R·H·卡利亚;B·H·拉姆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 邻近 半导体 进行 晶片 测试 方法 设备 | ||
1.一种设备,其包括:
第一半导体裸片,其包括第一存储器单元阵列和第一存储器内建自测试mBIST电路,所述第一mBIST电路经配置以接收第一测试命令且响应于所述第一测试命令而执行所述第一存储器单元阵列的自测试;
第二半导体裸片,其包括第二存储器单元阵列和第二mBIST电路,所述第二mBIST电路经配置以接收第二测试命令且响应于所述第二测试命令而执行所述第二存储器单元阵列的自测试;以及
划线,其经配置以将所述第一半导体裸片耦合到所述第二半导体裸片以支持在所述第一半导体裸片处经由所述第二半导体裸片接收所述第一测试命令。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述划线经配置以将所述第一半导体裸片连接到所述第二mBIST电路,其中所述第二mBIST电路经配置以响应于从测试仪接收到命令而经由所述划线将所述第一测试命令提供到所述第一半导体裸片。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一mBIST电路经配置以经由所述划线将所述第一存储器单元阵列的所述自测试的第一结果提供到所述第二mBIST电路,其中所述第二半导体裸片经配置以将所述第一结果提供到所述测试仪。
4.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一半导体裸片被配置为从半导体裸片且所述第二半导体裸片被配置为主半导体裸片。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述划线经配置以将所述第一半导体裸片的输入/输出I/O端子连接到所述第二半导体裸片的所述I/O端子,其中所述第二半导体裸片的所述I/O端子经配置以经由所述划线将所述第一测试命令提供到所述第一半导体裸片。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第一测试命令包含指示所述第一半导体裸片的标识符。
7.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括定位于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间的划线区,其中所述划线跨越所述划线区从所述第一半导体裸片延伸到所述第二半导体裸片。
8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括包含所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片、所述划线区和所述划线的晶片。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述划线和所述划线区经配置以在切割所述晶片时被破坏。
10.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括形成于所述划线区中的补充mBIST电路,其中所述第一mBIST电路或所述第二mBIST电路耦合到所述补充mBIST电路以分别支持第一存储器阵列的所述自测试或第二存储器阵列的所述自测试。
11.一种半导体裸片,其包括:
存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;以及
存储器内建自测试mBIST电路,其经配置以接收测试命令且响应于所述测试命令而执行所述存储器单元阵列的自测试;以及
划线短截线,其经配置以连接到晶片的划线区以支持所述mBIST电路的操作。
12.根据权利要求11所述的半导体裸片,其中所述划线短截线是在从所述晶片中切割时形成的。
13.根据权利要求11所述的半导体裸片,其中所述划线短截线连接到所述mBIST电路以提供对补充mBIST电路的支持。
14.根据权利要求11所述的半导体裸片,其中所述划线短截线连接到所述mBIST电路以提供通向另一mBIST电路的mBIST到mBIST链路。
15.根据权利要求11所述的半导体裸片,其进一步包括压缩电路,所述压缩电路经配置以将指示所述自测试是通过还是未通过的读取标志提供到所述mBIST电路。
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