[发明专利]一种硅基太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的前电极、前减反射层、前发射电极、Si(p)硅基本征层、In掺杂层、量子点薄层、氧化铝背面钝化层、SixNy背面氮化硅层、铝背场层和背电极；所述In掺杂层在P型硅底层扩散ⅢA族元素形成P+层；所述量子点薄层选自In₂S₃、N掺杂的二氧化钛、Er³⁺掺杂的ZnO-CuO-ZnAl₂O₄多层氧化物结构、Er³⁺掺杂的ZnO-ZnAl₂O₄多层氧化物结构和Yb³⁺，Er³⁺，Tm³⁺掺杂的BiVO₄结构中的一种或几种；

所述Si(p)硅基本征层为P型硅层；所述P型硅层的掺杂浓度为2×10¹⁸(1/cm³)；

所述In掺杂层在在P型硅底层形成的P+层掺杂溶度为3×10¹⁹(1/cm³)。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述前发射电极为N型硅层；所述前电极为Ag浆料；所述前减反射层为氮化硅膜层；所述背电极为Ag浆或银铝浆。

3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述P型硅层是由薄片状单晶硅或者多晶硅构成。

4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述ⅢA族元素包括铟、硼、铝、镓中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述前减反射层的厚度为70～90nm；所述前发射电极厚度为0.2～0.3μm；所述Si(p)硅基本征层厚度为170～180nm；所述In掺杂层厚度为10～20nm。

6.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述氧化铝背面钝化层厚度为20～30nm；所述SixNy背面氮化硅层厚度为70～100nm；所述铝背场层厚度为20～30μm。