[发明专利]具有金属栅极切口和凹陷的电力轨的晶体管装置

权利要求书

1.一种晶体管装置，包括：

第一鳍状物，其延伸远离基底；

第二鳍状物，其延伸远离所述基底，其中，所述第一鳍状物和所述第二鳍状物中的每个包括一种或多种半导体材料；

栅极电极材料，其具有：

第一部分，其至少部分地包裹在所述第一鳍状物的最远离所述基底的端部周围，以及

第二部分，其至少部分地包裹在所述第二鳍状物的最远离所述基底的端部周围；以及

在所述第一部分与所述第二部分之间的所述栅极电极材料中的开口，所述开口至少部分地填充有一种或多种电介质材料，

其中，从所述基底到所述开口的距离比从所述基底到所述栅极电极材料的距离小了至少5纳米。

2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述一种或多种电介质材料与所述栅极电极材料接触。

3.根据权利要求2所述的晶体管装置，其中：

所述第一鳍状物的最接近所述基底的部分和所述第二鳍状物的最接近所述基底的部分被浅沟槽绝缘体(STI)材料围绕，并且

所述一种或多种电介质材料与所述STI电极材料接触。

4.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中：

所述栅极电极材料的所述第一部分形成第一晶体管的栅极端子，

所述晶体管还包括另一栅极电极材料，所述另一栅极电极材料包裹在所述第一鳍状物的最远离所述基底的所述端部的另一部分周围，所述另一栅极电极材料形成第二晶体管的栅极端子，以及

在所述第一鳍状物的纵轴方向上，所述开口延伸到所述第一晶体管的所述栅极端子与所述第二晶体管的所述栅极端子之间的距离的至少30％。

5.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述开口在所述第一鳍状物的所述纵轴方向上的长度基本上等于所述第一晶体管的所述栅极端子与所述第二晶体管的所述栅极端子之间的间距。

6.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述开口包括接缝，所述接缝在基本上平行于所述第一鳍状物和所述第二鳍状物中的每个的平面中延伸。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的晶体管装置，其中：

所述开口是第一个开口

所述晶体管装置还包括：

第三鳍状物，其延伸远离所述基底，其中，所述第二鳍状物在所述第一鳍状物与所述第三鳍状物之间，并且其中，所述栅极电极材料具有第三部分，所述第三部分至少部分地包裹在所述第三鳍状物的最远离所述基底的端部周围，以及

在所述第二部分与所述第三部分之间的所述栅极电极材料中的第二开口，其中，所述第二开口部分地填充有所述一种或多种电介质材料，并且部分地填充有一种或多种导电材料，并且其中，所述一种或多种导电材料通过填充所述开口的所述一种或多种电介质材料与所述栅极电极材料的所述第二部分和所述第三部分分离。

8.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中，所述第二开口的深宽比在2与1之间。

9.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中，所述第二开口的深宽比等于或小于所述第一开口的深宽比。

10.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中，从所述基底到所述第二开口的距离小于从所述基底到所述第一开口的距离。

11.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中：

所述第二开口衬有电介质衬层，

所述一种或多种导电材料至少部分地填充衬有所述电介质衬层的所述第二开口，并且

所述电介质衬层包括至少部分地填充所述第一开口的所述一种或多种电介质材料中的至少一种。