[发明专利]晶圆变形的测量方法在审
| 申请号： | 202011562875.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678286A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林锺吉;金在植;张成根;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;白国斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变形 测量方法 | ||
1.一种晶圆变形的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
测量晶圆不同区域之间或相同位置不同时段的温度差数据，将该温度差数据与晶圆对应区域的变形值建立相应的标准函数样本；
根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，利用加热板加热所述晶圆，在加热板上均匀设置若干温度传感器，通过若干所述温度传感器测量所述晶圆不同区域的实时温度，并通过该实时温度计算所述晶圆不同区域之间的温度差数据。
3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，加热所述晶圆前，利用冷却板对所述晶圆进行冷却操作，将所述晶圆冷却至室温。
4.根据权利要求2或3所述的测量方法，其特征在于，所述晶圆的不同区域包括晶圆的中心区域和边缘区域，若干所述温度传感器分别均匀分布在所述中心区域和所述边缘区域。
5.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态包括：
若所述中心区域的温度变化速率小于所述边缘区域的温度变化速率，则判断所述晶圆发生凸起变形；
若所述边缘区域的温度变化速率小于所述中心区域的温度变化速率，则判断所述晶圆发生凹陷变形。
6.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，所述加热板为圆形板，所述圆形板的中心区域对应于所述晶圆的中心区域，所述圆形板的边缘区域对应于所述晶圆的边缘区域；所述温度传感器的数量为15个，其中3个所述温度传感器均匀分布在所述加热板的中心区域，其余12个所述温度传感器沿周向均匀分布在所述加热板的边缘区域。
7.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，将所述加热板的加热温度控制在60℃至400℃之间；和/或，所述温度传感器的温度检测周期在10ms至2000ms之间。
8.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于，随着所述温度差数据的逐渐增高而降低所述加热板的加热温度，随着所述温度差数据的逐渐降低而升高所述加热板的加热温度。
9.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于，所述加热板利用与其相连接的控制器控制加热温度。
10.根据权利要求4所述的测量方法，其特征在于，温度传感器包括PT100感应器或MEMS感应器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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