[发明专利]一种三维铁电存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

对所述衬底进行掺杂，以形成源极；

在所述衬底上形成栅极；

形成覆盖所述衬底的层间介电层；

图案化所述层间介电层和所述栅极，以形成露出所述源极的孔洞；

在所述孔洞中沉积沟道材料层，以形成所述栅极环绕的数条纳米线；

对所述沟道材料层进行掺杂，以形成漏极；

在所述漏极上形成铁电电容器。

2.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，所述铁电电容器由下至上依次包括第一电极层，铁电材料层和第二电极层。

3.如权利要求2所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，所述铁电材料层包括HfO₂或CuInP₂S₆。

4.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，在所述孔洞中沉积所述沟道材料层之前还包括：

在所述孔洞的侧壁上形成栅极介电层。

5.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，所述纳米线包括多晶硅。

6.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极之前还包括：

在所述衬底上形成隔离层。

7.如权利要求6所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极包括：

在所述隔离层上形成栅极材料层；

图案化所述栅极材料层，以形成栅极。

8.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，在形成所述铁电电容器之后还包括：

图案化所述层间介电层，以分别形成露出所述源极和所述栅极的开口；

在所述开口中填充导电材料，以分别形成与所述源极和所述栅极相接的互连结构。

9.如权利要求1所述的三维铁电存储器件的制造方法，其特征在于，还包括重复上述步骤，以形成多层层叠的存储器件结构。