[发明专利]掩模板图形OPC方法、掩模板图形、掩模板和终端设备在审
| 申请号： | 202011562977.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112631067A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 夏明;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 图形 opc 方法 终端设备 | ||
1.一种掩模板图形OPC方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，定义联通图形规则，所述联通图形用于联通产生静电聚集处图形；
S2，根据所述规则通过设计规则检测在掩模板GDS图形标记出所有需要联通的图形；
S3，根据当前层设计规则和掩模等级定义需要联通图形的联通方式和联通尺寸；
S4，在掩模板GDS图形中加入联通图形；
S5，仅对掩模板GDS图形进行OPC修正，不修正联通图形，使联通图形不会被曝光；
S6，对加入联通图形的掩模板GDS图形进行OPC仿真检查，获得最终联通图形。
2.如权利要求1所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于，所述规则包括:线宽、面积和图形间距。
3.如权利要求1所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于，所述生静电聚集处是GDS图形在掩模板上有铬(Cr)覆盖的位置。
4.如权利要求1所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于:步骤S4中，先对掩模板GDS图形进行TDOPC处理再加入联通图形。
5.如权利要求4所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于:所述TDOPC处理包括重构时加入曝光辅助图形。
6.如权利要求1所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于：其能应用于32nm、28nm、22nm、20nm以及小于16nm的工艺平台的掩模板图形OPC。
7.如权利要求1所述的掩模板图形OPC方法，其特征在于：其能应用于逻辑器件、存储器件、射频器件、高压器件、Flash和eFlash工艺平台的掩模板图形OPC。
8.一种掩模板图形，其特征在于：其由权利要求1-7任意一项所述的掩模板图形OPC方法获得。
9.一种掩模板，其特征在于：其由权利要求8所述掩模板图形制造。
10.一种终端设备，其特征在于：其用于执行权利要求1-7任意一项所述的掩模板图形OPC方法。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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