[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

图案化一光刻胶层，该光刻胶层在一介电层上方；

基于该光刻胶层的一图案蚀刻该介电层，以在该介电层中形成一开口，所述蚀刻停止于该介电层下方的一蚀刻停止层；

当该光刻胶层在该介电层上时，蚀刻该蚀刻停止层以穿透该蚀刻停止层；以及

在该介电层中的该开口中形成一导电元件，该导电元件电性耦合至该蚀刻停止层下方的一第一金属部件。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该介电层包括形成在其中的一第二金属部件，其中在蚀刻该介电层的期间，该光刻胶层覆盖该第二金属部件的一上表面。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该蚀刻停止层包括氧化铝。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中：

使用一干式蚀刻工艺蚀刻该介电层；以及

使用一湿式蚀刻工艺蚀刻该蚀刻停止层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一金属部件包括一晶体管的一栅极电极。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该导电元件包括至一栅极电极的一导电插塞。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在蚀刻该蚀刻停止层之后，蚀刻一第二介电层以露出该第一金属部件。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中使用一干式蚀刻工艺蚀刻该第二介电层。

9.一种半导体装置的形成方法，包括：

在一第一介电层上形成一掩模；

在该掩模中形成一第一开口，该第一开口露出该第一介电层的一部分；

使用该掩模作为一蚀刻掩模，蚀刻该第一介电层，以在该第一介电层中形成一第二开口，该第二开口露出一蚀刻停止层；

使用该掩模作为一蚀刻掩模，蚀刻该蚀刻停止层，以在该蚀刻停止层中形成一第三开口，该第三开口露出一第二介电层；

使用该掩模作为一蚀刻掩模，蚀刻该第二介电层，以在该第二介电层中形成一第四开口，该第四开口露出一导电元件；以及

在该第一介电层中形成一第一金属部件，该第一金属部件电性耦合至该导电元件。

10.一种半导体装置的形成方法，包括：

在一第一介电层中形成一第一金属部件，该第一金属部件电性耦合至一晶体管的一源极/漏极接触件；

在该第一介电层上沉积并图案化一掩模层；

根据该掩模层的一图案，图案化该第一介电层；

当该掩模层在该第一介电层上时，根据该掩模层的该图案，图案化该第一介电层下方的一蚀刻停止层；

当该掩模层在该第一介电层上时，根据该掩模层的该图案，图案化一第二介电层，以露出该晶体管的一栅极电极；以及

形成一导电插塞穿过该第一介电层以及穿过该第二介电层，该导电插塞接触该栅极电极。