[发明专利]推挽结构输出电路

权利要求书

1.一种推挽结构输出电路，包括：输入端(PG、NG)、输出端(OUTPUT)、第一电源(VDDH)、第二电源(VDDL)、多级推挽结构电路(10)，所述多级推挽结构电路(10)中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，其特征在于：

所述推挽结构输出电路还包括辅助电路(20)，所述辅助电路(20)与多级推挽结构电路(10)和第二电源(VDDL)连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源(VDDL)电压及第一电源与第二电源电压差(VDDH-VDDL)中的较高值。

2.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述PMOS和NMOS的工作电压是指栅漏电压、栅源电压、源漏电压中的任意一个。

3.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述多级推挽结构电路(10)为三级，包括3个PMOS管(MP1、MP2、MP3)和3个NMOS管(MN1、MN2、MN3)。

4.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述辅助电路(20)包括两个PMOS管(MP4、MP5)，两个NMOS管(MN4、MN5)；所述两个PMOS管(MP4、MP5)交叉耦合，所述两个NMOS管(MN4、MN5)交叉耦合。

5.如权利要求4所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述推挽结构输出电路的所有PMOS管和NMOS管的工作电压都不大于Vmax。

6.如权利要求4所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述辅助电路(20)还包括一个静电释放防护器件。

7.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述第一电源(VDDH)的电压是所述第二电源(VDDL)的两倍。

8.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述输入端输入信号的电压不大于第二电源(VDDL)的电压。

9.如前述任一权利要求所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述推挽结构输出电路的所有PMOS管和NMOS管的耐压等级相同。