[发明专利]半导体装置结构

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包括：

一第一装置，形成于一基板之上，其中该第一装置包括一第一鳍片结构；以及

一第二装置，形成于该第一装置之上或之下，其中该第二装置包括多个第二纳米结构在垂直方向上堆叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，还包括：

一第一栅极堆叠，包裹围绕该第一鳍片结构；以及

一第二栅极堆叠，包裹围绕多个所述第二纳米结构。

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其中该第一栅极堆叠包括一第一部分及一第二部分，该第一部分靠近该第二栅极堆叠的一侧壁，且该第二部分位于该第二栅极堆叠的正下方。

4.如权利要求1所述的半导体装置结构，还包括：

一侧壁间隔物，形成于两个相邻的多个所述第二纳米结构之间；

一第二源极/漏极结构，形成于多个所述第二纳米结构的其中一个的一侧壁上；以及

一第二栅极堆叠，包裹围绕多个所述第二纳米结构，其中该侧壁间隔物位于该第二栅极堆叠与该第二源极/漏极结构之间。

5.一种半导体装置结构，包括：

一第一装置，形成于一基板之上，其中该第一装置包括一第一鳍片结构；

一第一栅极堆叠，包裹围绕该第一鳍片结构；

一第二装置，形成于该第一装置之上，其中该第二装置包括多个第二纳米结构在垂直方向上堆叠；以及

一第二栅极堆叠，包裹围绕多个所述第二纳米结构，其中该第一栅极堆叠的一最顶表面高于该第二栅极堆叠的一底表面。

6.一种半导体装置结构，包括：

多个第一纳米结构，形成于一基板之上，其中多个所述第一纳米结构在垂直方向上堆叠；

一第一栅极堆叠，包裹围绕多个所述第一纳米结构；

一第一内部栅极间隔物，形成于多个所述第一纳米结构之上；

一第二鳍片结构，形成于该第一内部栅极间隔物之上；以及

一第二栅极堆叠，包裹围绕该第二鳍片结构。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其中该第二鳍片结构直接接触该第一内部栅极间隔物。

8.如权利要求6所述的半导体装置结构，其中该第一栅极堆叠包括一第一部分及一第二部分，该第一部分靠近该第二栅极堆叠的一侧壁，且该第二部分位于该第二栅极堆叠的正下方。

9.如权利要求8所述的半导体装置结构，还包括：

一第二内部栅极间隔物，位于该第一栅极堆叠的该第一部分与该第二栅极堆叠之间。

10.如权利要求8所述的半导体装置结构，其中该第一栅极堆叠具有一第一厚度，该第二栅极堆叠具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。