[发明专利]电阻式存储器在审
| 申请号： | 202011563684.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114695654A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;吴伯伦;郭泽绵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 | ||
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
基底；
第一电极，位于所述基底上；
第二电极，位于所述第一电极与所述基底之间；
可变电阻层，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
氧储存层，位于所述第一电极与所述可变电阻层之间，且包括：
第一部分；
第二部分，连接于所述第一部分的一侧；以及
第三部分，连接于所述第一部分的另一侧，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度与所述第三部分的厚度，且所述氧储存层的所述第一部分朝向所述第一电极突出。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括：
氧阻障层，位于所述第一电极与所述氧储存层之间。
3.根据权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，所述氧阻障层的材料包括三氧化二铝、二氧化硅、二氧化铪或氮硅氧化铪。
4.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一电极的材料包括氮化钛、氮化钽、钨、氮化铪、氮化铝、铱、铂或铱铂合金。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第二电极的材料包括氮化钛、氮化钽、钨、氮化铪或氮化铝。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述可变电阻层的材料包括氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化铪与氧化铝的结合或氧化铪与氧化锆的结合。
7.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述氧储存层的材料包括钛、钽、铪或铝。
8.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述氧储存层的形状包括倒T形。
9.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述氧储存层的下表面朝向所述可变电阻层，且为平坦表面。
10.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述氧储存层的整个下表面与所述可变电阻层的整个上表面互相接触。
11.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度的比值为大于1且小于等于5。
12.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的厚度与所述第三部分的厚度的比值为大于1且小于等于5。
13.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的厚度为5纳米至250纳米。
14.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第二部分的厚度为5纳米至50纳米。
15.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第三部分的厚度为5纳米至50纳米。
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