[发明专利]具有垂直侧壁的自对准栅极端盖(SAGE)架构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

半导体鳍，所述半导体鳍具有沿所述半导体鳍的长度的侧壁，每个侧壁从所述半导体鳍的顶部朝向所述半导体鳍的底部向外成锥形；以及

栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构与所述半导体鳍间隔开并且具有平行于所述半导体鳍的所述长度的长度，所述栅极端盖隔离结构具有基本垂直的侧壁，所述基本垂直的侧壁横向面向所述半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的一个侧壁。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的所述一个侧壁以相对于垂直大于5度的角度成锥形，并且所述栅极端盖隔离结构的所述基本垂直的侧壁以相对于垂直零度到小于5度范围中的角度向内成锥形。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构具有在所述半导体鳍的上表面上方的上表面。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构具有与所述半导体鳍的上表面大致共面的上表面。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构包括下方电介质部分以及所述下方电介质部分上的电介质盖。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构包括在所述栅极端盖隔离结构之内居中的垂直接缝。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

位于所述半导体鳍上方并且与所述栅极端盖隔离结构接触的栅电极。

8.一种集成电路结构，包括：

第一半导体鳍，所述第一半导体鳍具有沿所述第一半导体鳍的长度的侧壁，每个侧壁从所述第一半导体鳍的顶部朝向所述第一半导体鳍的底部向外成锥形；

第二半导体鳍，所述第二半导体鳍具有沿所述第二半导体鳍的长度的侧壁，每个侧壁从所述第二半导体鳍的顶部朝向所述第二半导体鳍的底部向外成锥形；以及

栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间并且与所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍间隔开，所述栅极端盖隔离结构具有平行于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的所述长度的长度，所述栅极端盖隔离结构具有第一基本垂直的侧壁，所述第一基本垂直的侧壁横向面向所述第一半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的一个侧壁，并且所述栅极端盖隔离结构具有第二基本垂直的侧壁，所述第二基本垂直的侧壁横向面向所述第二半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的一个侧壁。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构具有在所述第一半导体鳍的上表面上方和所述第二半导体鳍的上表面上方的上表面。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述栅极端盖隔离结构具有与所述第一半导体鳍的上表面大致共面并且与所述第二半导体鳍的上表面大致共面的上表面。

11.根据权利要求8、9或10所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的所述一个侧壁以相对于垂直大于5度的角度成锥形，所述栅极端盖隔离结构的所述第一基本垂直的侧壁以相对于垂直零度到小于5度范围中的角度向内成锥形，所述第二半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的所述一个侧壁以相对于垂直大于5度的角度成锥形，并且所述栅极端盖隔离结构的所述第二基本垂直的侧壁以相对于垂直零度到小于5度范围中的角度向内成锥形。