[发明专利]一种低密度高强钛基非晶材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011564622.9 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112779479B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 扶友红;张涛;刘广来;杨洁丹;李扬德 申请(专利权)人: 东莞宜安新材料研究院有限公司;东莞宜安科技股份有限公司
主分类号: C22C45/10 分类号: C22C45/10;C22C1/03;B22D18/06
代理公司: 深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙) 44434 代理人: 陈慧
地址: 523660 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 密度 高强 钛基非晶 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低密度高强钛基非晶材料,其特征在于,该材料的化学式为TiaZrbCucMdSe,其中M为贵金属元素Nb、Ta、Sn中元素的任意组合,40≤a≤60,20≤b≤35,2≤c≤10,1≤d≤10,1≤e≤5,且a+b+c+d+e=100。

2.一种根据权利要求1所述的低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,包括如下具体步骤:

S1、配料:按照TiaZrbCucMdSe的原子百分比转化的质量百分比,称取所需的原料Ti、Zr、M、硫化亚铜,且c=2e;

S2、母合金熔炼:采用真空电弧炉水冷铜坩埚冶炼法,将上步的原料冶炼成成分均匀的母合金铸锭;

S3、材料成型:采用铜模真空吸铸法,将上步母合金铸锭制成钛基非晶合金棒材。

3.根据权利要求2所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S1中的原料Ti、Zr、M、硫化亚铜均为99.99%的纯度。

4.根据权利要求2或3所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S1中的原料Ti、Zr、M、硫化亚铜先用粗砂纸打磨除去表面氧化膜,然后用丙酮和工业酒精进行超声波清洗,最后用吹风机烘干备用。

5.根据权利要求2所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2包括如下具体操作:

S2-1、将金属原料Zr和M放入水冷铜坩埚熔炼炉内,并充入纯度为99.8%的氩气;

S2-2、将金属原料Zr和M进行熔炼,得到成分均匀Zr-M中间合金;

S2-3、将上述Zr-M中间合金、硫化亚铜中间合金和Ti金属原料进行共同熔炼,得到化学成分均匀的母合金锭。

6.根据权利要求5所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2-1中,充入氩气前,调节水冷铜坩埚熔炼炉真空室的真空度为1×10-3Pa-6×10-3Pa;充入氩气后,调节水冷铜坩埚熔炼炉真空室的真空度为0.1×105Pa-0.6×105Pa。

7.根据权利要求5所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2-2和步骤S2-3中的熔炼条件为:电弧电流为300A-400A,熔炼时间为60-300s,熔炼3-6次。

8.根据权利要求2所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S3包括如下具体操作:

S3-1、将母合金铸锭破碎成1-10mm的小块后放入真空电弧熔炼吸铸炉内,并充入纯度为99.8%的氩气;

S3-2、调节炉内温度,使得母合金铸锭完全熔化成熔 体;

S3-3、将熔体喷射入铜模中,快速吸铸冷却成型,制备出TiaZrbCucMdSe块体非晶合金棒材。

9.根据权利要求8所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S3-1中,充入氩气前,调节真空电弧熔炼吸铸炉真空室的真空度为1×10-3Pa-6×10-3Pa;充入氩气后,调节真空电弧熔炼吸铸炉真空室的真空度为0.1×105Pa-0.6×105Pa。

10.根据权利要求8所述的一种低密度高强钛基非晶材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤S3-2中的熔化条件为:炉内温度为800-1000℃,保温时间为30-180S。

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