[发明专利]一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法

权利要求书

1.一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，硅基级联双环谐振腔芯片包括：第一波导、第二波导和第三波导；所述第一波导和第二波导之间设有参考环，所述参考环分别与第一波导和第二波导相耦合；所述第二波导和第三波导之间设有传感环，所述传感环分别与第二波导和第三波导相耦合；入射光进入第一波导与参考环耦合，从参考环导出的光进一步与第二波导耦合，参考环与第二波导耦合后的光一部分从第二波导的mid端泄露，一部分进一步与传感环耦合，从传感环导出的光进一步与第三波导耦合后从pass端输出；

所述传感环的表面依次修饰固定环氧基硅烷、葡聚糖薄膜和PCA3基因探针。

2.根据权利要求1所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，所述环氧基硅烷是3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，制备葡聚糖薄膜所使用的葡聚糖的分子量在1000-2500000之间。

4.根据权利要求1所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，所述PCA3基因探针是以PCA3的4个外显子为模板进行设计。

5.根据权利要求1所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对硅基级联双环谐振腔进行清洁处理；

(2)对清洁处理后的传感环表面进行等离子处理；

(3)在传感环表面修饰环氧基硅烷；

(4)在环氧基硅烷修饰过的传感环表面进一步修饰葡聚糖；

(5)在葡聚糖表面进一步修饰PCA3基因探针。

6.根据权利要求5所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，在传感环表面修饰葡聚糖是通过葡聚糖和传感环表面的环氧基硅烷发生共价反应进行固定的。

7.根据权利要求5所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述的PCA3基因探针是通过PCA3基因探针与葡聚糖的共价反应固定于葡聚糖薄膜的表面。

8.权利要求1-4任一项所述的一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片在制备PCA3诊断和/或检测产品中的用途。

9.一种检测PCA3的硅基级联双环谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，

将权利要求1-4任一项所述的硅基级联双环谐振腔芯片的传感环与待测液体接触，根据波长变化信号或者光功率强度变化信号对待测液体中的PCA3进行定性或定量检测。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的硅基级联双环谐振腔芯片的PCA3探针具有与PCA3特异性结合的性能，通过这种特异性结合所引起的信号变化来实现对PCA3的选择性检测。