[发明专利]双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路

权利要求书

1.一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFET Q₁，所述辅助稳定单元为第二MOSFET Q₂；

所述第一MOSFET Q₁的栅极与第二MOSFET Q₂芯片的源极相连，之后接出引线设为引脚g₁；

所述第二MOSFET Q₂的栅极与其漏极连接，之后接出引线设为引脚g₂；

所述第一MOSFET Q₁的源极分别接出至少两个引线，分别设为驱动源极引脚ds₁和功率源极引脚ps₁，或一个源极s₁；

所述第一MOSFET Q₁的漏极设为引脚d₁。

2.如权利要求1所述的一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：还包括封装基板，所述第一MOSFET Q₁直接焊接在封装基板上；第二MOSFET Q₂则先焊接于覆铜陶瓷基板，再焊接到封装基板。

3.如权利要求1所述的一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述第二MOSFET Q₂的栅极与漏极短接后引出到引脚，或者第二MOSFET Q₂的栅极与其漏极均通过键合线连接到封装引脚上。

4.如权利要求1所述的一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述引脚d₁采用封装基板流通电流或者通过引线接出至引脚。

5.如权利要求1所述的一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述第一MOSFET Q₁与第二MOSFET Q₂为对偶的沟道特性。

6.一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路，其特征在于：用于驱动权利要求1至5中任意一项所述的双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管；所述驱动电路包括正向电压偏置V_CC、驱动芯片、负向电压偏置V_EE、电阻R_on、电阻R_off、电阻R、电容C，所述驱动芯片输出电源负端口连接至负向电压偏置V_EE的负极，所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压V_CC的正极，所述驱动芯片的输出端一连接至电阻R_on一端部，所述驱动芯片的输出端二连接至电阻R_off一端部，所述电阻R_on另一端部与电阻R_off另一端部并联后分别连接引脚g₂、电容C一端部以及电阻R一端部，所述电阻R另一端部连接至引脚g1，所述引脚ds₁分别连接电容C另一端部、负向电压偏置V_EE的正极以及正向电压偏置V_CC的负极。