[发明专利]一种晶圆级封装工艺及晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装工艺，晶圆(100)包括基板(101)，基板(101)上呈矩阵分布有多个功能区(102)，每个所述功能区(102)周围设置有焊垫(103)，其特征在于，所述晶圆级封装工艺包括步骤：

在覆盖板(2)上制作支撑围堰(3)，以形成呈矩阵分布的多个凹槽(5)，所述支撑围堰(3)包括用于围成所述凹槽(5)的棱边，所述棱边的内侧端部凹设有锯齿段(31)；

通过丝网印刷工艺在所述支撑围堰(3)上涂覆键合胶(4)；

将所述覆盖板(2)及涂覆有所述键合胶(4)的所述支撑围堰(3)键合于所述晶圆(100)上，所述支撑围堰(3)通过所述键合胶(4)与所述焊垫(103)处紧密结合，所述功能区(102)容纳于所述凹槽(5)内。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述支撑围堰(3)的拐角位置内侧设置有弧形凹槽(32)，所述弧形凹槽(32)的两端分别与位于相邻两个所述棱边上的所述锯齿段(31)连接。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述支撑围堰(3)的所述棱边的长度为L₁，该棱边上的所述锯齿段(31)的长度为L₂，其中，L₁/12≤L₂≤L₁/8。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述锯齿段(31)包括多个锯齿，每个所述锯齿的截面均为正三角形。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述丝网印刷工艺涂覆的所述键合胶(4)的厚度为15～20μm。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述支撑围堰(3)的所述棱边的宽度为D₂，所述丝网印刷工艺所采用的丝网(6)上与该棱边对应的网孔宽度为D₁，其中，D₂/4≤D₁≤D₂/2。

7.如权利要求1-6任一项所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述支撑围堰(3)的材质为感光胶，所述支撑围堰(3)的制作过程包括：在所述覆盖板(2)上涂覆感光胶层，对所述感光胶层进行曝光和显影工艺，以形成所述支撑围堰(3)。

8.如权利要求1-6任一项所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，所述覆盖板(2)为硅片，在所述覆盖板(2)一侧开设所述凹槽(5)以形成所述支撑围堰(3)。

9.如权利要求8所述的晶圆级封装工艺，其特征在于，在所述覆盖板(2)上开设所述凹槽(5)的步骤包括：

采用光刻的方法在所述硅片的表面制作出待开槽区域；采用干法刻蚀或湿法腐蚀硅的方式在所述待开槽区域刻蚀出所述凹槽(5)；或

采用激光烧蚀方法，直接在所述硅片上制作出所述凹槽(5)。

10.一种晶圆级封装结构，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的晶圆级封装工艺制成。