[发明专利]量子点器件的制备方法及量子点器件

权利要求书

1.一种量子点器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供具有二维电子气的样品结构(10)；

于所述样品结构(10)的表面，依次制备绝缘结构(20)与耗尽电极结构(410)；

于所述耗尽电极结构(410)远离所述样品结构(10)的表面，依次制备第一电介质结构(50)、功函数层(60)、电极填充层(70)以及第一光刻胶层(80)；

根据第一掩膜版图形对所述第一光刻胶层(80)进行曝光，显影后形成第一光刻胶掩膜结构(810)；

根据所述第一光刻胶掩膜结构(810)，对所述电极填充层(70)与所述功函数层(60)进行刻蚀，并刻蚀至所述第一电介质结构(50)，形成电极结构(710)与功函数结构(610)；

于所述第一光刻胶掩膜结构(810)远离所述样品结构(10)的表面、所述第一光刻胶掩膜结构(810)的侧壁表面、所述电极结构(710)的侧壁表面以及所述功函数结构(610)的侧壁表面，制备第二电介质层(510)；

将制备于所述第一光刻胶掩膜结构(810)表面的所述第二电介质层(510)和所述第一光刻胶掩膜结构(810)去除，获得多个间隔设置的注入电极结构(711)与多个间隔设置的势垒电极结构(712)。

2.根据权利要求1所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，根据所述第一光刻胶掩膜结构(810)，采用湿法刻蚀方法对所述电极填充层(70)与所述功函数层(60)进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法，于所述第一光刻胶掩膜结构(810)远离所述样品结构(10)的表面、所述第一光刻胶掩膜结构(810)的侧壁表面、所述电极结构(710)的侧壁表面以及所述功函数结构(610)的侧壁表面制备所述第二电介质层(510)。

4.根据权利要求1所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，采用剥离工艺方法，将制备于所述第一光刻胶掩膜结构(810)表面的所述第二电介质层(510)和所述第一光刻胶掩膜结构(810)去除。

5.根据权利要求1所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，于所述耗尽电极结构(410)远离所述样品结构(10)的表面，依次制备第一电介质结构(50)、功函数层(60)、电极填充层(70)以及第一光刻胶层(80)，步骤包括：

采用原子层沉积方法，于所述耗尽电极结构(410)远离所述样品结构(10)的表面制备所述第一电介质结构(50)；

采用物理气相沉积方法或者原子层沉积方法，于所述第一电介质结构(50)远离所述样品结构(10)的表面制备所述功函数层(60)；

采用电子束蒸发方法或者物理气相沉积方法，于所述功函数层(60)远离所述样品结构(10)的表面，制备所述电极填充层(70)；

于所述电极填充层(70)远离所述样品结构(10)的表面旋涂所述第一光刻胶层(80)。

6.根据权利要求5所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，于所述第一电介质结构(50)远离所述样品结构(10)的表面制备所述功函数层(60)的步骤之后，且于所述功函数层(60)远离所述样品结构(10)的表面制备所述电极填充层(70)的步骤之前，所述量子点器件的制备方法还包括：

采用电子束蒸发方法，于所述功函数层(60)远离所述样品结构(10)的表面依次制备钛辅助层(90)与所述电极填充层(70)。

7.根据权利要求6所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，所述量子点器件的制备方法还包括：

根据所述第一光刻胶掩膜结构(810)，采用湿法刻蚀方法对所述电极填充层(70)、所述钛辅助层(90)以及所述功函数层(60)进行刻蚀，并刻蚀至所述第一电介质结构(50)，形成所述电极结构(710)、钛辅助结构(910)以及所述功函数结构(610)。