[发明专利]一种电源VR芯片的电流自动校准电路及校准方法

权利要求书

1.一种电源VR芯片的电流自动校准电路，其特征在于，包括：电源VR芯片电路、VR芯片控制电路、BMC芯片、输入端、输出端和电感单元，所述输入端用于接入电源，所述输出端用于输出电流，所述电感单元用于存续电流；

所述VR芯片控制电路和所述BMC芯片分别与所述电源VR芯片电路电连接；

所述BMC芯片用于测量所述电源VR芯片电路内的真实电流值；所述VR芯片控制电路用于测量所述电源VR芯片电路内的当前电流值以及根据所述真实电流值与所述当前电流值的比对结果修正监控电流值；

第一测试负载,所述BMC芯片用于测试流经所述第一测试负载的电流值，以得到所述电源VR芯片电路内的真实电流值；

所述电源VR芯片电路包括MOS管单元；

所述VR芯片控制电路包括控制器，所述控制器和所述MOS管单元之间设置有第二测试负载、测试引线和控制负载单元；

所述MOS管单元包括第一MOS管和第二MOS管；

所述控制负载单元包括第一控制负载、第二控制负载和第三控制负载；

所述第一MOS管的源电极或漏电极中的一者用于与所述输入端电连接，另一者与所述第二MOS管的源电极或漏电极中的一者电连接，所述第二MOS管的源电极或漏电极中的另一者与所述第一测试负载的一端电连接，所述第一测试负载的另一端用于接地，所述第一测试负载电连接所述第二MOS管的一端与所述BMC芯片电连接，所述第一MOS管与所述第二MOS管电连接的源电极或漏电极与所述电感单元的一端电连接，所述电感单元的另一端与所述输出端电连接；

所述第一MOS管的栅电极和所述控制器之间串联有所述第一控制负载，所述第二MOS管的栅电极与所述控制器之间串联有所述第二控制负载，所述第二MOS管与所述第一MOS管电连接的源电极或漏电极与所述控制器之间串联有所述第三控制负载，所述第二MOS管的源电极和漏电极之间串联有所述第二测试负载，所述第二MOS管串联有所述第一测试负载的源电极或漏电极与所述控制器之间设置有所述测试引线。

2.根据权利要求1所述的电源VR芯片的电流自动校准电路，其特征在于，所述第一控制负载、所述第二控制负载、所述第三控制负载、所述第一测试负载或所述第二测试负载包括电阻。

3.根据权利要求1所述的电源VR芯片的电流自动校准电路，其特征在于，所述第一测试负载包括可调电阻。

4.一种电源VR芯片的电流自动校准方法，采用如权利要求1-3中任一项所述的电源VR芯片的电流自动校准电路，其特征在于，包括：

测量电源VR芯片电路内的真实电流值；

测量所述电源VR芯片电路内的当前电流值；

比对所述真实电流值和所述当前电流值，得到比对结果；

根据所述比对结果，修正监控电流值。

5.根据权利要求4所述的电源VR芯片的电流自动校准方法，其特征在于，所述根据所述比对结果，修正监控电流值的步骤，包括：

当所述真实电流值大于所述当前电流值时，上调所述监控电流值，直至所述真实电流值与所述当前电流值相等。

6.根据权利要求4所述的电源VR芯片的电流自动校准方法，其特征在于，所述根据所述比对结果，修正监控电流值的步骤，还包括：

当所述真实电流值小于所述当前电流值时，下调所述监控电流值，直至所述真实电流值与所述当前电流值相等。

7.根据权利要求4所述的电源VR芯片的电流自动校准方法，其特征在于，所述测量电源VR芯片电路内的真实电流值的步骤包括：

按照预设测量周期测量所述电源VR芯片电路内的所述真实电流值；

所述测量所述电源VR芯片电路内的当前电流值的步骤，包括：

按照所述预设测量周期测量所述电源VR芯片电路内的所述当前电流值。