[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202011567535.9 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112582433B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 塔乐;夏志强 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括镂空部、第一非显示区、显示区以及第二非显示区;所述第一非显示区围绕所述镂空部,所述显示区围绕所述第一非显示区,所述第二非显示区围绕所述显示区;
布线区,所述布线区位于所述第一非显示区且围绕所述镂空部;
多条沿第一方向排列的信号线,多条所述信号线包括多条第一信号线,所述第一信号线与所述第一非显示区部分交叠;所述第一信号线包括沿第二方向位于所述镂空部两侧的第一子信号线和第二子信号线,所述第一子信号线和所述第二子信号线位于所述显示区,所述第一方向与所述第二方向交叉;
信号引线,位于所述第一非显示区,所述信号引线连接同一所述第一信号线的第一子信号线和所述第二子信号线,且至少部分所述信号引线位于所述布线区靠近所述镂空部的一侧;
所述信号引线与多条所述第一信号线的所述第一子信号线和所述第二子信号线连接;
所述第二非显示区包括沿所述第二方向位于所述显示区两侧的第一子非显示区和第二子非显示区,所述第一子非显示区设有多个焊盘;
多条所述信号线包括多条第二信号线,所述第二信号线与所述第一非显示区无交叠;
在所述第一子非显示区内,至少一条所述第一信号线和至少一条所述第二信号线通过第一连接线短接;在所述第二子非显示区内,所有所述第一信号线彼此间隔且与任一所述第二信号线间隔,至少两条所述第二信号线通过第二连接线短接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述信号线为电源电压信号线。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述信号引线包括第一子引线、第二子引线以及连接所述第一子引线和所述第二子引线的第一子绕线,所述第一子引线和所述第二子引线均与所述布线区至少部分交叠,所述第一子绕线位于所述布线区靠近所述镂空部的一侧;
所述第一子绕线围绕所述镂空部蛇形走线。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
还包括多条沿所述第一方向排列的数据线;
经过所述布线区的所述数据线包括第一子数据线、第二子数据线以及数据引线,所述第一子数据线和所述第二子数据线位于所述显示区,所述数据引线位于所述布线区;同一所述数据线的所述第一子数据线和所述第二子数据线通过对应的所述数据引线相连。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多条沿所述第二方向排列的扫描线;
经过所述布线区的所述扫描线包括第一子扫描线、第二子扫描线以及扫描引线,所述第一子扫描线和所述第二子扫描线位于所述显示区,所述扫描引线位于所述布线区;同一所述扫描线的所述第一子扫描线和所述第二子扫描线通过对应的所述扫描引线相连。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括:
驱动电路,包括薄膜晶体管和存储电容;所述存储电容包括第一极板和第二极板;所述薄膜晶体管包括沟道、栅极、第一极和第二极;
沿远离所述衬底的方向,所述显示面板还包括有源层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层;其中,所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板;所述第二金属层包括所述存储电容的第二极板;所述第三金属层包括所述薄膜晶体管的第一极和第二极;
第一子数据线和第二子数据线位于所述第三金属层;
第一子扫描线和第二子扫描线位于所述第一金属层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述数据引线位于所述第二金属层,和/或,所述第三金属层;
所述扫描引线位于所述第一金属层;
所述信号引线位于所述第四金属层。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述数据引线位于所述第三金属层,和/或,所述第四金属层;
所述扫描引线位于所述第一金属层;
所述信号引线位于所述第二金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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